CeO2 高K 栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质.PDFVIP

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2017-06-15 发布于天津
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CeO2 高K 栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质

22 7 Vol. 22, No .7 20017 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCT ORS July , 2001 * CeO2 K 1 1 1 1 1 2 2 2 康晋锋　刘晓彦　王　玮　俞　挺　韩汝琦　连贵君　张朝晖　熊光成 ( 1 , 100871) ( 2 , 100871) : CeO2 K ( ) , N Si CeO Si , 2 Si ( 100) ( 100) ( 111) CeO ; N Si 2 / / . , / Pt CeO2 Si N Si CeO , CeO Si . 2 2 : ; ; / ; K CeO2 Si EEACC: 2550; 25 0 : TN 86: A : 025 -4177(2001) 07-0865-06 , . 1 K . K / . , Si 2012 , MOSFET , K Si 50nm. , . , , . M OSFET 0. 1Lm , . , , ( K 2 2 5 2 2 , . 9 SiO2 T iO T a O Zr O HfO [ 15] ) nm. SrT iO . 2 , SiO ,