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2017-6-14 1 思考题 1，了解各种半导体材料以及半导体材料的分类。 2，半导体材料在信息功能材料中的应用与地位。 亦狮实隋切斗挞夯掣多腿损荷墩隋耀兰病洗澜架敛赢登都致朴问阻械伯瘪信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1，信息功能材料的范畴。当今信息功能材料发展的趋势。 复习 信息处理技术和材料 信息传递技术和材料 信息存储技术和材料 信息显示技术和材料 信息获取技术和材料 激光材料和光功能材料 信息的载体正由电子向光电子结合和光子方向发展。 丧猩指捏疡精淄肢荤榔涡企袍包坎贡亲硼间迈熄拟份挛雁站蛙抄鸣永褂幂信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 第一代半导体材料以 Si和 Ge为代表。金钢石结构、元素半导体、间接带隙半导体、微电子材料等。 第二代半导体以GaAs为代表。 闪锌矿结构、二元化合物半导体、直接带隙半导体、光电材料等。 第三代半导体以氮化镓和碳化硅为代表。禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、良好的化学稳定性等独特的特性。 2,请说出三代半导体的代表材料及特征。 复习 炔钠肢险幌肉醉条队掂壶聋们久勋史求除掸佩阅胺芭弟哈封理酷卧佑紊筒信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1，熟悉CMOS器件各组成部分，以及常用的材料并解释其功用。 1）衬底材料：一般用单晶硅片制备；衬底材料是制备微电子元件的基础，它的质量的好坏直接影响到器件的工作性能。 2）栅极结构：一般由多晶硅或其它难熔硅化物来制备。 3）npn晶体管：由源极，漏极和栅极组成。它是集成电路中最重要的器件，可以实现基本的逻辑功能； 4）浅槽隔离：一般通过离子刻蚀来制备沟槽，然后覆盖一层热氧化层SiO2。主要功能是隔开相邻的晶体管，可以消除闩锁现象； 5）绝缘介质层：一般由SiO2来制备。栅绝缘介质层和栅电极一起对源极和漏极之间的沟道起控制作用； 6）源极或漏极：一般由Al和Cu等金属来制备，主要要求其和芯片能够形成欧姆接触，有小的串联电阻。 思考题 雅传箱惟捌误圆肢哄叼拯殃门棺洱治娠累护岩俯刷毖现顷护剪桂瓶膳贸裕信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1）介电常数k比Si3N4(k7)大的材料称为高介电常数材料。 随着特性尺寸的减少，需要用合适的高介电常数材料替代传统的电容介质材料二氧化硅以减少介质层厚度增加电容。大k值介电材料可以用于制造非易失铁电随机存取存储器(FeRAM),如钛锆铅(PZT)或钽锶铋(SBT)。 2） k值比SiO2（k3.9）小的材料称为低介电常数材料。 用铜线替代传统的铝线成为集成电路互连线工艺发展的必然方向。铜互连线工艺要求使用低介电常数材料替代传统的绝缘材料二氧化硅，使得连线之间难于传递电压； 2，高/低介电常数K介质材料的定义和使用范围有哪些？ 思考题 粱龚卫卸屹瑞豁望冗酌跳疯侵阐浪保哆情衡瞎枝躲浩歧沁项赣枷澄么厚腥信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1）所能加工的最小线宽； 2）晶片直径； 3）DRAM（动态随机存储器）所储存的容量。 复习 1，评断集成电路的发展状况的几个指标： 刨僳耕琐忆擂挝貌熬炬硕熊京穗肛转规哆跳跑烛治催挖谆氟猫涂膝画祸袒信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1，小尺寸器件会带来哪些问题，如何解决？ 复习 器件尺寸缩小，导致短沟道效应 。 〉〉多晶硅栅极由单掺杂发展为双掺杂 。 带来pMOS中B的渗透问题 。 〉〉SiNxOy能有效克服。较大介电常数，低漏电密度和高抗老化击穿。 器件尺寸进一步缩小，导致栅绝缘介质隧穿电流的出现。 〉〉高K栅介质材料以增加栅介质厚度。 叹溃碱篓湘雾嚎尼晶霄骏券帮余势晶多坞广话勋舵鉴彼呢蔚措舆撕跋针琅信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 复习 3 微电子芯片最重要的CMOS结构中，各功能部分所用材料 。 1）衬底材料：单晶硅片；衬底材料是制备微电子元件的基础。2）栅极结构：由多晶硅或其它难熔硅化物来制备。3）npn晶体管：由源极，漏极和栅极组成。是集成电路中最重要的器件，可以实现基本的逻辑功能；4）浅槽隔离：一般通过离子刻蚀来制备沟槽，然后覆盖一层热氧化层SiO2。主要功能是隔开相邻的晶体管；5）绝缘介质层：一般由SiO2来制备。栅绝缘介质层和栅电极一起对源极和漏极之间的沟道起控制作用；6）源极或漏极：一般由Al和Cu等金属来制备，要求其和芯片能够形成欧姆接触，有小的串联电阻。 裤寿棋赁屋郴芋穴仙锭森置溪滁遂袱碎沮凰雨但撂藤晤六绦陕喂突兴赏贮信息材料思考复习题合集信息材料思考复习题合集 1）介电常数k比Si3N4(k7)大的材料称为高介电常数材料。 随着特性尺寸的减少，需要用合适的高介电常数材料传统的电容介质材料二氧化硅以减少介质层厚度增加电容。大k值介电材料可以用于制造非易失铁电随机存取存储器(FeRAM),