基于0.18μmcmOs工艺的功率放大器设计.PDFVIP

第３１卷 第６期 世界科技研究与发展 Ｖｏｌ．３１ Ｎｏ．６ 　 　 ２００９年１２月 １０８８－１０９０页 ＷＯＲＬＤＳＣＩＴＥＣＨＲ＆Ｄ Ｄｅｃ．２００９ ｐｐ．１０８８－１０９０ 基于０１８ ｍＣＭＯＳ工艺的功率放大器设计 μ  于海燕　吴明赞 　李　竹 （南京理工大学自动化学院，南京２１００９４） 摘　要：本文在系统分析功率放大器的结构、设计原理、性能指标的基础上，根据功率放大器的应用背景，选择Ａ类放大器进行设 计。设计时综合多种因素，合理选用共源共栅结构和共源结构的三阶差分放大电路，进行增益和输出功率分配，然后应用ＡＤＳ软 件进行设计、优化和仿真。仿真结果表明，设计的功率放大器在其工作频率范围绝对稳定，实现了很好的输入输出匹配，具有较好 的线性度和隔离度，最终的仿真结果满足８０２１１ａ标准。采用ＴＳＭＣ０１８ ｍＣＭＯＳ工艺元件库，应用Ｃａｄｅｎｃｅ软件画出功率放大 μ 器电路的版图。 关键词：功率放大；ＣＭＯＳ工艺；ＡＤＳ仿真 中图分类号：ＴＮ４０２　　　文献标识码：Ａ　　　 ＤｅｓｉｇｎｏｆＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒｆｏｒ０．１８ｍＣＭＯＳ μ  ＹＵＨａｉｙａｎ　ＷＵＭｉｎｇｚａｎ 　ＬＩＺｈｕ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９４） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｏｎｔｈｅｂａｓｉｓｏｆａｎａｌｙｚｉｎｇｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｓｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ｄｅｓｉｇｎｐｒｉｎｃｉｐｌｅａｎｄｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆ ｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ，ｓｅｌｅｃｔｔｈｅＣｌａｓｓＡａｍｐｌｉｆｉｅｒｔｏｄｅｓｉｇｎ．Ｂｙａｐｐｌｙｉｎｇｓｙｎｔｈｅｓｉｚｉｎｇａｎｕｍｂｅｒｏｆｆａｃｔｏｒｓ，ｓｅｌｅｃｔｔｈｉｒｄｏｒｄｅｒｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ａｍｐｌｉｆｉｅｒｏｆｃａｓｃｏｄｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｃｏｓｏｕｒｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｒｅａｓｏｎａｂｌｙ，ｔｏｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｇａｉｎａｎｄｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒ．ＴｈｅｎｕｓｅＡＤＳｓｏｆｔｗａｒｅｔｏｄｅｓｉｇｎ，ｏｐｔｉ ｍｉｚｅａｎｄｓｉｍｕｌａｔｅ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｉｎｔｈｅｆｒｅｑｕｅｎｃｙｒａｎｇｅｈａｓａｂｓｏｌｕｔｅｓｔａｂｉｌｉｔｙ，ｒｅａｃｈｅｓａｖｅｒｙｇｏｏｄｉｎ ｐｕｔａｎｄｏｕｔｐｕｔｍａｔｃｈ，ｏｂｔａｉｎｓｇｏｏｄｌｉｎｅａｒｉｔｙａｎｄｉｓｏｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅｕｌｔｉｍａｔｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｍｅｅｔ８０２１１ａｓｔａｎｄａｒｄ．ＢｙｕｓｉｎｇＴＳＭＣ０１８ ｍ μ ＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｌｉｂｒａｒｙａｎｄＣａｄｅｎｃｅｓｏｆｔｗａｒｅ，ｄｒａｗｔｈｅｌａｙｏｕｔｏｆｔｈｅＰ