1.55μmAlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性-物理学报.PDFVIP

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1.55μmAlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2$ ( % ( , , , /G5 ?2$ SG ?( TU9V % ( ) !+$IQ%Q2$ ( Q !@(@+2 4.N4 *MRB8.4 B8S8.4 #% .FE9 ? *FK: ? BGL ? !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ! ## $ %’()*%+,)*- 偏振无关半导体光 ! 放大器及其温度特性研究 )) ) ) ) ) ! # ! $ ! 马 宏 陈四海 金锦炎 易新建 朱光喜 !)(华中科技大学光电子工程系,武汉 %$’% ) )(华中科技大学电子与信息工程系,武汉 %$’% ) $ )(武汉大学物理系,武汉 %$’ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $ ! !( % ! !( 采用低压金属有机气相外延( )设备生长并制作了 偏振无关半导体光放大器, )*+,-./0 !122 3 4567894:+89* ! 有源区为 周期的张应变量子阱结构,应变量为 ;器件制作成脊型波导结构,并采用 斜腔结构以有效抑制 $ + 1$2 ; ’ 腔面反射;经蒸镀减反膜后,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 , 带宽为 ,半导体光放大 1$ = $ = 2 93 器小信号增益近=,带宽亦为2 93 ? 在!2$—!2@93 波长范围内偏振灵敏度小于 12=,峰值增益波长的饱和 输出功率达’=3;器件增益随温度的升高而减小,当器件工作温度从2A升高至(2A 时,增益降低小于$= ? 关键词:半导体技术, ,偏振无关, ,应变量子阱,半导体光放大器,增益 ,-./0 4567894:+89* : , , , -%.. %@B (@22 ’@C ’@(2D 料,较传统 材料, 半导体激 89674:*+89* 4567894:+89* !1 引 言 光器件由于具有更好的导带电子限制,从而具有更 好的温度特性, 的载流子浓

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