引言 - 广州成启半导体有限公司.docVIP

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2017-06-12 发布于境外
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防反接保护电路设计通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护如下图示图二极管型防反接保护电路这种接法简单可靠但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的的输入电流额定值达到如选用的快速恢复二极管额定管压降为那么功耗至少也要达到这样会对的和散热有很大影响管型防反接保护电路因此本是利用了管的开关特性控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路由于功率管的内阻很小现在已经能够做到毫欧级解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题具体电路如图示图管型防反接保护电

防反接保护电路设计通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：图1. 二极管型防反接保护电路这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。的输入电流额定值达到A,如选用Onsemi的快速恢复二极管? MUR3020PT，额定管压降为1V，那么功耗至少也要达到：Pd＝A×1V＝W，这样会对的和散热有很大影响MOS管型防反接保护电路因此本是利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在Rds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。