808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺.pdf

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 808nm 大功率半导体激光器腔面光学膜工艺 舒雄文 　徐 　晨 　徐遵图　朱彦旭 　沈光地 (北京工业大学光电子技术实验室 , 北京 　100022) 摘要 : 用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为 808nm 大功率半导体激光器镀制了 SiO / TiO 高反膜及 SiO 或 Al O 2 2 2 2 3 ( ) 减反膜 ,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高 由07 提高到 124 ,而且可在一定范围内调节阈值电 流密度 ,器件寿命也有很大提高. 对这种方法所镀制的 SiO / TiO 膜用作 808nm 半导体激光器高反膜的可行性进 2 2 行了分析和探讨 ,认为是一种可行的方法. 关键词 : 离子辅助镀膜 ( IAD) ; 阈值电流密度 ; 微分量子效率 PACC : 4255P ; 7865 ; 8115J 中图分类号 : TN2484 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 03057 105 发离子辅助镀膜 ,它可克服 ECR p la sma CVD 的不 1 　引言 足 ,而且许多文献都曾报道 ,这种方法所得的薄膜结 构致密 ,光学性能稳定[ 6 ,7 ] . 808nm 大功率半导体激光器是 目前国际上商 用蓝光激光器的主要泵浦源 ,它在工业 、激光医学 、 2 　理论分析 光存储 、军事等方面有着广阔的应用前景. 这种激光 器未镀膜时解理面的反射比为 03 1 左右 ,并非一理 微分量子效率和阈值电流密度是半导体激光器 想值 ,而且解理面在空气中易氧化 , 易沾污 ,对器件 两个重要的特性参数. 一般情况下 ,量子阱半导体激 特性的影响非常严重. 为了改善这些不足 ,通常会对 光器总的外微分量子效率 η、阈值电流密度 J 及阈 e t h 它的两个端面进行镀膜. 半导体激光器腔面镀膜常