【2017年整理】赛威科技SF6773V5V2A电源方案.docVIP

赛威科技SF6773V 5V2A电源方案 电源管理IC，六级能效方案，SF6773V 5V2A方案 　　据G3综合报道：随着节能减排的要求越来越严，高效率、低待机是电源产品的发展趋势，为了满足目前市场高效率、低待机的需求，赛威科技新推出一款内置MOS QR-PSR IC SF6773V、 其特点：集成4A/600A MOS、SOP-7封装、QR-PSR架构、高效率满足六级能效、低待机小于75mW、全电压输入最大输出功率13W、12W以内的产品可以实现NO“Y”电容设计。 　　一、芯片特点： 　　满足6级能效标准 　　专利的super-QR/PSR控制(结合原边反馈和准谐振控制) 　　实现高效率和优异的EMI性能 　　小于75mW待机功耗 　　±5%恒压恒流精度 　　CV模式下可编程线损补偿 　　输出过压/短路保护 　　逐周期电流限制 　　内置前沿消隐 　　内置软启动 　　管脚浮空保护 　　VDD过压和钳位保护 　　VDD欠压保护(UVLO 　　二、方案特性： 　　输入电压：90-264VAC全电压 　　输出电压：5VDC 　　输出电流：2A 　　待机：75mW(230V/50Hz AC) 　　平均效率：79%(115V/60Hz、230V/50Hz AC) 　　5%±以内的恒压恒流(CV/CC)精度 　　VDD过压、欠压、钳位保护、输出短路、过压、过流保护 　　输出线损补偿可调整 　　NO“Y”电容设计 　　四、变压器参数(EE-1606立式加宽) 绕组 起末端(Pin) 绕线 绕线圈数(Ts) 胶带胶带（Ts） 绕线方式 N1 2-3 2UEW 0.20mmx1P?漆包线 62 2 靠初级顺时针密绕 N2 5-8 2UEW 0.22mmx1P漆包线 13.5 2 靠初级顺时针密绕 N3 7-6 TEX-1 0.65mmx1P三层绝缘线 5 2 骨架反向顺时针密绕 N4 8-NC 2UEW 0.20mmx2P漆包线 8 2 靠初级顺时针密绕 N5 3-1 2UEW 0.20mmx1P漆包线 18 2 靠初级顺时针密绕 　　备注：变压器规格：EE-1606立式加宽5+3PIN AE值：33mm2 　　电性测试 　　变压器规格:EE-1606立式加宽5+3PIN 　　电感量:PIN2- 11.25mH ±5% ; 测试条件：1KHz0.25V 　　漏感量:PIN2- 1100uHMax ; 测试条件: 1KHz 0.25V，N2与N3绕组短路 　　高压测试： 　　初级-次级3750VAC5mA 60S 　　绝缘电阻: 100MΩ Min; 测试条件：500VDC 　　五、DEMO板实物图 　　六、BOM清单 　　七、DEMO基本电性测试 　　输出电压测试 　　效率测试 　　备注;测试数据带线246820AWG30CM 　　八、EMI测试 　　输入：230VACCDN辐射(仅供参考) 　　SF6773V SOP-7封装 　　十一、设计注意事项 　　PCB Layout注意事项 　　1、PCB Layout时地线尽可能短，IC的地和变压器的地分开接地，改善EMC。 　　2、控制电路上所有的地先连起来然后一起连到输入电解电容的地，提高系统ESD能力。 　　3、FB上下偏电阻要靠近FB脚，可以降低噪音耦合。 　　4、VDD脚的电容要尽量靠近VDD脚，得到好的去耦效果。 　　5、输入π型滤波的两个电解电容地线的负极之间建议加一个102阻抗1K 0805的贴片磁珠,这样可以得到好的EMI。 　　6、初级RCD吸收电路中的二极管负极需要串联1个100R的贴片电阻，可以改善EMI。 　　7、 VCC 电压典型设计范围为12-23V。 　　变压器注意事项 　　1、变压器设计时反射电压Vro建议按照80V计算，占空比 ≤50%设计。 　　2、90V输入时系统频率设计在50-60KHz左右。 　　3、IC 3PIN CC脚对地的电容建议取值：15nF-22nF，可以使输出电压更稳定、动态响应更高。 　　公司：佛山市南海赛威科技技术有限公司 　　地址：深圳市南山区科技园高新南一道创维大厦C座802室