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【2017年整理】五寄存器1
DRAM芯片2164引脚 存储容量为 64K×1b 16个引脚： 8 根地址线A7～A0 1 根数据输入线DIN 1 根数据输出线DOUT 行地址锁存信号 RAS 列地址锁存信号 CAS 读写控制 WE * 应用举例 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 A19 G1 G2A G2B C B A A18 A14 A13 A17 A16 A15 VCC Y0 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中存储器芯片占有几组不同的地址范围。 A19 A17 A16 A15 A14 A13 ?1 6264 CS1 1 1 1 0 0 0 两组地址： F0000H —— F1FFFH B0000H —— B1FFFH Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 部分地址译码使地址出现重叠区，破坏了地址空间的连续性，但其译码电路简单、成本低 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 用SRAM6116芯片构成地址范围在78000H～78FFFH之间的一个4KB的存储器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 1. DRAM的特点 存储元主要由电容构成； 主要特点： 需要定时刷新。 2164A：64K×1bit 5.2.2动态随机存储器DRAM Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 2. 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1bit 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址信号线； 地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. NC DIN WE RAS A0 A2 A1 GND VSS CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 2.DRAM的工作过程 （1）数据读出 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）数据写入 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （3）数据刷新 刷新：将动态存储器中存放的每一位信息读出并重新写入的过程 刷新时由于CAS信号无效，位线上的信息不会送到数据总线上。 刷新周期：2~8ms Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright
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