【2017年整理】X射线衍射原理及应用.pptVIP

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2017-06-10 发布于浙江
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【2017年整理】X射线衍射原理及应用

X射线探测器主要有3种类型：气体电离探测器闪烁体探测器半导体探测器网上有很多参考资料： X射线技术论坛：www.xraytech.pw; ;闪烁探测器的性能由闪烁晶体和光电二极管阵列性能,以及闪烁晶体与光电二极管耦合工艺决定。常采用的闪烁体晶体有CdWO4（钨酸镉）、BGO( Bi4 Ge3O12锗酸铋) 、CsI( 碘化铯) 等, 它们各有优缺点。;CsI( Tl) 价格稍低,发光效率高且光谱与光电二极管匹配较好, 但抗辐射能力差, 在高能X 射线照射下, 寿命很短; BGO 闪烁晶体除价格昂贵外, 抗辐射能力太弱; CdWO4闪烁晶体各方面性能较好, 目前普遍被高能工业CT 采用, 但CdWO4闪烁晶体余辉长,且机械加工性能不好, 不宜加工成细长的探测器晶体, 价格也昂贵 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;CdZnTe（CZT）晶体是一种性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料???CZT晶体是由于CdTe晶体的电阻率较低，所制成的探测器漏电流较大，能量分辨率较低，就在CdTe中掺入Zn使其禁带宽度增加，而发展成了的一种新材料。随Zn含量的不同，禁带宽度从1.4eV（近红外）至2.26eV（绿光）连续变化，所制成的探测器漏电流小，在室温下对X射线，γ射线能量分辨率好，能量探测范围在10KeV－6MeV，且无极化现象。 ;;2.锂漂移半导体探测器(PIN结); 为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;1.电荷的储存;以电荷为信号;Less than 0.2um;谢谢！请访问X射线技术论坛获取更多相关知识 www.xraytech.pw