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2017-06-10 发布于河南
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AON6906A;中文规格书,Datasheet资料

AON6906A 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AON6906A is designed to provide a high efficiency Q1 Q2 synchronous buck power stage with optimal layout and board VDS 30V 30V space utilization.It includes two specialized MOSFETs in a dual ID (at VGS=10V) 37A 48A Power DFN5x6A package. The Q1 High Side MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Q2 Low Side RDS(ON) (at VGS=10V) 14.4mΩ 11.7mΩ MOSFET is desgined for low RDS(ON) to reduce conduction RDS(ON) (at VGS = 4.5V) 21.3mΩ 17.5mΩ losses.Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Crss.In addition,switching behavior is well controlled with a Schottky style soft recovery body 100% UIS Tested diode. 100% Rg Tested DFN5X6 Top View Bottom View PIN1 Top View Bottom View Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted Parameter Symbol Max Q1 Max Q2 Uni