EM4150A5WW11中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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2017-06-08 发布于河南
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EM4150A5WW11中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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EM4150A5WW11中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EM微电子 - MARIN SA EM4150 EM4350 1千比特读千比特读/写写非接触式识别装置非接触式识别装置描述描述特征特征该EM4150 / EM4350 （以前称为P4150 / P4350） □ 1 KbitEEPROM组织在32个字32位是CMOS集成电路打算用于电子 □ 32位器件序列号（只读激光ROM）读/写射频转发器.该芯片包含1千位 □ 32位设备识别（只读激光ROM） EEPROM,可以由用户来配置,允许写入禁止区,读出防 □ 上电复位序列护护区,和一个连续地读区域输出功率上.存储器可以 □ 电源检查EEPROM写操作通过使用所有写入和读防护护操作32位密码被固定. □ 用户定义只读存储器区电源密码可以被更新,但从来不看.固定代码序列号和设备标 □ 用户定义禁止写入存储区识是激光编程尽一切芯片独一无二. □ 用户定义读防护护存储区 □ 数据传输通过振幅进行调制 □ 两个数据速率选项2大骨节病（Opt64）或4个大骨节病 (Opt32) EM4150将数据传输到所述收发信机通过调制电磁场幅 □ 场频位周期= 64或32学时度,并且接收以类似方式数据和命令.简单命令将使写 □ 170 pF±2％片上谐振电容 EEPROM,更新密码,读取特定内存区域,并重置逻 □ -40至+ 85°C温度范围辑. □ 100至150 kHz场频范围 □ 片上整流器和电压限制器