325MHzspoke腔的二次电子倍增效应_徐波.pdfVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２４ １１ Ｖｏｌ．２４ Ｎｏ．１１ 　 　 年 月 ， ２０１２ １１ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲ ＬＡＳＥＲＡＮＤ ＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｎｏｖ． ２０１２ 　 　 　 　 　 　 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１２ 　 － － － 腔的二次电子倍增效应＊ ３２５ ＭＨｚｓｏｋｅ 　ｐ １ １ １ １ １ ２ 徐 波 ， 李中泉 ， 沙 鹏 ， 王光伟 ， 潘卫民 ， 何 源 　 　 　 　 　 　 　 　 （ ， ； ， ） １．中国科学院高能物理研究所 北京 １０００４９ ２．中国科学院近代物理研究所 兰州 ７３００００ 　 ： ， 摘 要 采用 软件的粒子工作室模块 对 超导腔中可能发生的二次电子倍增效应进行了分 ＣＳＴ ｓｏｋｅ 　　 　 　 ｐ ， 。 ： 析研究 并采用二次电子倍增效应发生后形成稳定状态时的粒子数增长率来表征其强度 模拟计算表明 该腔 存在两处二次电子倍增效应， 柱两端的两点一阶倍增； 腔两端侧壁与中心圆筒交界处的单点一阶 ｓｏｋｅ ｓｏｋｅ ｐ ｐ ； ， ， ， 倍增 二次电子倍增在加速腔压为０．６５ ＭＶ时的增长率最高 而腔压大于 １ ＭＶ时 增长率均为负 即无倍增 发生。 ： ； ； ； 关键词 二次电子倍增 增长率 腔 二次电子发射系数 ｓｏｋｅ 　　 　 　 　 ｐ 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ ＴＮ８１５ Ａ ｄｏｉ１０．３７８８ ＨＰＬＰ２７２３ 　　 　 　　　　 　 　　 ， 二次电子倍增效应在功率器件的应用中扮演着重要