微机原理与接口技术-第5章-存储器.ppt

8088系统 BUS SRAM6264 D0 ~ D7 D0 ~ D7 A0 A0 A12 A12 MEMW MEMR WE CS2 +5V OE CS1 A19 A17 A15 A14 A13 A19A18 A17A16 A15A14A13A12 A11A10A9A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 1 X 1 X 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 ……… 1 X 1 X 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Y7 * 部分地址译码的后果： 地址重叠 * 线性译码：  只使用一根地址线作为片选信号。 图5-12 6264线性地址译码 * 【例5-2】  用SRAM6116芯片设计一个4K的存储器，地址范围为32000H~32FFFH，要求使用全地址译码方式。 图5-13 6116引线图 SRAM6116：2KX8 11根地址线A0~A10 8根数据线D0～D7 读写控制信号R/W 输出允许信号OE 片选信号CS。 * 6116译码分析如下： * 6116存储器设计系统连接图如下： * 5.2.3 MOS型动态随机存取存储器（DRAM） 1.单管基本存储元电路 * 动态存储器是通过把电荷存储到电容中来实现信息存储的。 MOS单管动态存储电路占用面积小，集成度高，速度快；缺点是读出是破坏性的，而且单元读出信号较小，要求有高灵敏度的读出放大器；另一个缺点是刷新。 2ms~4ms * DRAM芯片2164 64KX1 A0～A7：地址输入线，分时复用。 DIN：数据输入 DOUT：数据输出 RAS：行地址锁存信号 CAS：列地址锁存信号 WE：写允许信号，高电平允许读出 * 刷新 将动态随机存储器的每一位信息读出并写入的过程。刷新的方法是使列地址信号无效，行地址有效，然后将这一行的信息读出再写入。 每次送出不同的行地址就可以刷新不同行的存储单元，将行地址循环一遍，则刷新了整个芯片的所有存储单元。刷新时位线上的信息不会送出到数据总线上。 DRAM要求每隔2~8ms刷新一次，它称为刷新周期。 * 5.2.4 存储器扩展 存储器扩展包括位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。 1. 位扩展 将每个存储芯片的地址线和控制线（包括片选信号线、读/写信号线等）全部一对一地接在一起，将它们的数据线分别引出作为字节的不同位。 * 图5-20 用4K×4位的SRAM芯片进行位扩展 * 2.字扩展 字扩展是对存储空间的扩展，就是要增加存储单元的个数。 字扩展的方法是：将每个芯片的地址信号、数据信号和读/写控制信号等一对一地与系统总线中的相应信号线相连，将各芯片的片选信号与地址译码器的输出信号相连。 * * 3.字位扩展 假如要构成一个容量为M×N位的存储器，若使用B×b位的芯片（BM，bN），则构成这个存储器需要：（M / B）×（N / b）个存储器芯片。 例如：用Intel 2164构成容量为128KB的内存，需要（128/64）×（8/1）=16片。 * 5.3 只读存储器（ROM） 常用的只读存储器类型有： 掩膜式ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM （E2PROM） 闪存（Flash Memry） * 2.可编程ROM（PROM） 可编程ROM是用户可以将程序和数据写入ROM的只读存储器芯片，又称为PROM。可编程只读存储器出厂时各单元内容全为0，用户可用专门的PROM写入器将信息写入。 根据芯片的构造，可编程PROM可分为两类：结破坏型和熔丝型。 * 3.可擦除可编程ROM （EPROM） EPROM（erasable programmable ROM）是一种紫外线可擦除可编程只读存储器，可以多次擦除和写入。 有一个能通过紫外线的石英窗口，用紫外灯照射约20~30分钟，原信息就可以全部擦除。擦除后各单元内容均为FFH，恢复到出厂状态。 * 27系列的芯片： 2716 2732 2764 27128 27256 27512 * （1）2764的引线及功能 A0~A12：13根地址线，8K个存储单元； D0~D7：8根双向数据线， CE：片选信号； OE：输出允许信号； PGM：编程脉冲输入；读操作时PGM=1; VPP：编程电压输入端，12.5V、15V、21V、25V