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2017-06-04 发布于广东
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GTR和IGBT吸收电路参数的选择.pdf

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维普资讯 41 GTR和IGBT吸收电路参数的选择 TheSelectionoftheGTRand叩TS…nubb、erPar．ameters 成都佳灵电气制造公司兰_皇竺墨奶 GTR和 IGBT组装的逆变器，主电路线路 2 吸收电路． … 和吸收电路的引线均有电感，负载大多为感性根据圭电路逆变元件额窟电流的太小及组负载，且这两种元件处于高速开关状态，再加上装形式．，观将嗳收回路分为兰类： di／dt的存在，对这两种元件构成了极太的危 ① lO～1DOA，吸收回路采用图 3a或图机。现将如何正确选甩吸收电路参数介绍如下。 3b} ． 1 主回路构成与吸收电路 @ 150～300A，各相的吸收同．路采用图以IGBT为例。额定电流为 10~100A的6 3a} 个组装在一个基板上，150～300A 的两个组装 ⑨4o0A以上·奇的吸性回辟采用图3a 在一个基板上，蚰OA 以上为单个安装。主电路和图 3c．．．r ．与可能为IGBT谴成损坏。其尖峰电压值为根据图1、式_(1)及能量定恒定律，可得下 crc 一c + Id ／at (1) 列关系式、式中 ——集．射极间的尖峰电压(v) ，．‘ UcsP=U~+UF(+Lldi／dt u一直流电压(v 再由图 2且忽略 (，F ，(快恢复三极管的管压厶——主电站和引线电路电感之和(H) ／降)得越／—— IGBT集电极电流变化速率 (A／s) LlL f‘／z=G (C 一U )／z (2) 关断时iGBT．上的电压、电流变化{li线『如由式(2)可得图2所示。。一 G=Lt，／(Uc~-- ) (3) R。≤1／6Gf (4)