N型4H_SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究_全宏俊.pdf

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2017-06-02 发布于湖北
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N型4H_SiC中载流子密度和霍耳迁移率的模拟及研究_全宏俊

DOI :10.13715/ki .n jxu.1999.03.008 21 3 　　　　　　　　　 Vol.21 No.3 　　 1999 9 Natural Science Journal of Xiangtan Univer ity Sept.1999 N 4H-SiC 1) 2) 1) 全宏俊　　朱　勤　　乔云飞【】　30 K 1000 K , ., . , , . . 　;; 　O47 , 、、 , , (SiC).、、、, 、、 ., 、, ., n 3C-SiC [1～4] [ 1] .Suzuki et al , 3C-SiC , 3C-SiC .W.Gotz et al[5] n 4H-SiC . 4H-SiC (h, k). [6] [5] . , ., . 1　 [5] 、m n , : m N i N +NA =∑ (1) i=1 1+(g iNi Nc )exp (■E i K T) [5] N , gi , ■E i i . : h ■Eν(h )=7.6 meV 1 (A )1 (E), g 1 　　 g1 = g 1,A1 +g 1, E exp[-■E ν(h ) K T] (2) g 1, A1 g 1, E 2 4, k 1 (E), g 2 :1), , 512005;2)Steven , (, , ) 　　　:1998 10 15 3　0　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　1999 g 2 =g 1, A1 (3) N , 3 2 2 N c =2Mc (2πmsK T h ) (4 ) 1 [7] 2 3