有哪些信誉好的足球投注网站- 1、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
超薄Si3N4SiO2(NO)stack栅介质及器件
第 26 卷 第 1 期 半 导 体 学 报 Vol. 26 No. 1 2005 年 1 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. ,2005 超薄 Si N / SiO ( N/ O) stack 栅介质及器件 3 4 2 林 钢 徐秋霞 ( 中国科学院微电子研究所, 北京 100029) ( ) (N/ O) stack 栅介质 ,并对其性质进行了研 摘要 : 成功制备了 EOT equivalent oxide thickness 为 21nm 的 Si N / SiO 3 4 2 究. 结果表明 , 同样 EOT 的 Si N / SiO stack 栅介质和纯 SiO 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗 SILC 性能、栅介质 3 4 2 2 μ 寿命等方面都远优于后者. 在此基础上 ,采用 Si N / SiO stack 栅介质制备出性能优良的栅长为 012 m 的 CMOS 器 3 4 2 件 ,器件很好地抑制了短沟道效应. 在 Vds = Vgs = ±15V 下 ,nMOSFET 和 pMOSFET 对应的饱和电流 Ion 分别为 5843μ μ μ μ I 分别是 83nA/ μ μ A/ m 和 - 2813 A/ m ,对应 off m 和 - 13nA/ m. 关键词 : 超薄 Si N / SiO (N/ O) stack 栅介质 ; 栅隧穿漏电流 ; SILC 特性 ; 栅介质寿命 ; CMOS 器件 3 4 2 PACC : 8160 ; 7540A EEACC : 2550E; 2530F ( ) 中图分类号: TN386 文献标识码 : A 文章编号 : 2005 在已有文献中所报道的 Si N / SiO stack 结构 , 3 4 2 Si N 薄膜多采用 JVD , RPECVD ( remote plasma en 1 引言
文档评论（0）