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磁控溅射有机衬底ZnO_SnO_2透明导电膜的结构和光电特性_黄树来
630 2004 5 ( 35) X ZnOBSnO 2 黄树来, 马 瑾, 计 峰, 余旭浒, 王玉恒, 马洪磊 ( , 250100) : 采用磁控溅射技术在有机衬底上低温 备出具有低 , SnO ( S) Zn SnO 2 2 4 电阻率和良好附着性的ZnOB SnO 透明导电膜研究了 备 (Z) ZnSnO 700e Zn SnO 3 2 4 ZnOBSnO 薄膜的结构成分和光电性质 备薄膜为非晶结 SnO2[ 5] , 1400e , Zn- - 2 [ 8] 构,有机衬底ZnOBSnO 透明导电膜的最低电阻率约10 8 #cm, SnO Kovacheva 2 3 可见光平均透过率 82% 薄膜中的氧偏离理想化学配比, 氧 ZnOBSnO XRD 空位是薄膜中载流子的主要来源 2mPa2( a) XRD , : ; ZnOBSnO ; , ; 2( b) 500e : TN304. 2; TN304.055 :A XRD , , : 1001-9731(2004) 05-0630-02 [ 6] [ 9] H. Enoki T. Minami 1 [ 1, 2] , : ITO ; ZnO ; SnO ; d SnO , ZnOBSnO 2 2 4 ZnO SnO ,, 2 [ 3~ 5] [ 6] 图1 溅射用陶瓷靶材料的XRD 谱线 Enoki 400e Zn SnO , 5. 0 Fig 1 X-Ray diffraction patterns for the target 2 4 - 2 [7] @ 10 8 #cm, 80% Perkins - 2 10 8 #cm ( PPA) ZnOBSnO ,ZnOBSnO 2 7059 PPA 图2 退火前后ZnO:SnO 薄膜的XRD 谱
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