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硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响
第 25 卷第 8 期 半 导 体 学 报 . 25, . 8 V o l N o 2004 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 2004 硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子 寿命的影响 1 1 1 2 2 2 2 3 3 任丙彦 左 燕 霍秀敏 励旭东 王文静 许 颖 赵玉文 朱惠民 傅洪波 ( 1 河北工业大学材料研究中心, 天津 300130) (2 北京太阳能研究所, 北京 100083) (3 云南半导体器件厂, 昆明 650200) 摘要: 采用 100 厚度 400 、电阻率为 0 8～ 2 · 的 ( 100) 硅片制作硅光单体电源, 并对 和铝背 mm m cm p CZ R T P 场烧结工艺进行了研究. 实验发现: 快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响. 铝背场烧结和适当的快速热处 理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用, 并减少了载流子的复合中心, 从而提高了光生载流子的扩 散长度, 提高了非平衡少子寿命. 关键词: R T P; 氧沉淀; 少子寿命; 吸杂 : 7820 ; 8140 ; 8130 PACC J T M 中图分类号: TN 3042+ 5 文献标识码: A 文章编号: (2004) 1 引言 2 实验 ( ) ( ) 快速热退火 rap id therm al p rocessing , R T P 采用的样品为p 100 直拉单晶硅片, 原始厚度 工艺是近年来国际太阳能电池制造工艺中的一项新 为 400m 左右, 经化学减薄后为 370m 左右, 电阻 技术, 它是将硅片迅速升温至某一顶温 (p lateau 率范围在 08～ 2 · . cm tem peratu re, T p lateau ) , 并在此温度短时保温后自然 实验初期, 首先通过 Fou rier 变换红外光谱仪 冷却. 这种工艺利用了硅片 R T P 过程中发射的高 测试得出硅片原始间隙氧含量[O i ], 范围在 75 × 能光子(E 1 5eV ) 在激发跃迁中产生的光、热效 17 17 3 10 ～ 80 ×10 , 为
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