基于0.18μmCMOS工艺的混频器设计.PDF

第３１卷 第５期 世界科技研究与发展 Ｖｏｌ．３１ Ｎｏ．５ 　 　 ２００９年１０月 ８７１－８７２页 ＷＯＲＬＤＳＣＩＴＥＣＨＲ＆Ｄ Ｏｃｔ．２００９ ｐｐ．８７１－８７２ 基于０１８ ｍＣＭＯＳ工艺的混频器设计 μ  杨吟国　吴明赞 　李　竹 （南京理工大学自动化学院，南京２１００９４） 摘　要：本文选择Ｇｉｌｂｅｒｔ单元结构混频器设计电路，并进行噪声分析，引入改进的电流注入结构。应用ＡＤＳ软件对此电路进行设 计、优化与仿真，仿真结果表明：设计的混频器各项性能指标均达到设计要求。将设计仿真完毕的Ｇｉｌｂｅｒｔ单元结构混频器电路，采 用ＴＳＭＣ０１８ ｍＣＭＯＳ工艺元件库，应用Ｃａｄｅｎｃｅ软件画出电路的版图。该工作对射频集成电路设计有一定的参考价值。 μ 关键词：混频器；ＣＭＯＳ工艺；版图设计；ＡＤＳ；仿真 中图分类号：ＴＮ４０５　　　文献标识码：Ａ　　　 ＤｅｓｉｇｎｏｆＭｉｘｅｒｆｏｒ０１８ ｍＣＭＯＳ μ  ＹＡＮＧＹｉｎｇｕｏ　ＷＵＭｉｎｇｚａｎ 　ＬＩＺｈｕ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９４） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，Ｇｉｌｂｅｒｔｕｎｉｔｍｉｘｅｒｗａｓｓｅｌｅｃｔｅｄｆｏｒｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｄｅｓｉｇｎ，ｔｈｅｎｇａｖｅｔｈｅｎｏｉｓｅａｎａｌｙｓｉｓａｎｄｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｔｈｅｉｍｐｒｏｖｅｄｃｕｒ ｒｅｎｔｉｎｊｅｃｔｉｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．ＢｙｕｓｉｎｇｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｔｏｏｌＡＤＳ，ｗｅｄｅｓｉｇｎｅｄ，ｏｐｔｉｍｉｚｅｄａｎｄｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔ，ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｅｄ ｔｈａｔｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｉｎｄｉｃａｔｏｒｓｏｆｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｍｉｘｅｒｍｅｔｔｈｅｄｅｓｉｇｎｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ．Ａｆｔｅｒｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ，ｔｈｅＧｉｌｂｅｒｔｕｎｉｔｍｉｘｅｒｗｏｕｌｄｂｅｄｅ ｓｉｇｎｅｄｔｈｅｌａｙｏｕｔｓｏｆｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｕｓｉｎｇＴＳＭＣ０１８ ｍＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｌｉｂｒａｒｙａｎｄｔｈｅＣａｄｅｎｃｅｓｏｆｔｗａｒｅ．Ｔｈｅｗｏｒｋｈａｄｃｅｒｔａｉｎｖａｌｕｅｆｏｒ μ ｔｈｅｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔｄｅｓｉｇｎ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｍｉｘｅｒ；ＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ｌａｙｏｕｔｄｅｓｉｇｎ；ＡＤＳ；ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ 改进方案。由于双平衡变频器是由两个单平衡构成的，噪声 １　引言 的分析可以先从分析单平衡结构开始，然后将结果推广到双 随着深亚微米ＣＭＯＳ工艺的不断进步和成熟，其沟道长 平衡结构。 度不断减小，截止频率ｆＴ不断增加，再加上ＣＭＯＳ工艺与其 上述的噪声分析得出噪声产生的机理及其相关参数，虽 他工艺相比具有价格低、集成度高、功耗小等特点，用 ＣＭＯＳ 然改变