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2017-05-30 发布于河南
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APT45GP120B 1200V ® POWER MOS 7 IGBT TO-247 ® The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency G switchmode power supplies. C E • Low Conduction Loss • 100 kHz operation @ 800V, 16A C • Low Gate Charge • 50 kHz operation @ 800V, 28A • Ultrafast Tail Current shutoff • RBSOA rated G E MAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT45GP120B UNIT VCES