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IXGQ28N120B;IXGQ28N120BD1;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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    IXGQ28N120B;IXGQ28N120BD1;中文规格书,Datasheet资料

    High Voltage IGBT with Diode V = 1200 V CES IXGQ 28N120B I = 50 A C25 IXGQ 28N120BD1 V = 3.5 V CE(sat) t = 160 ns fi(typ) D1 TO-3P (IXGQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25°C to 150°C 1200 V CES J V T = 25°C to 150°C; R = 1 MΩ 1200 V CGR J GE V Continuous ±20 V GES V Transient ±30 V GEM G IC25 TC = 25°C

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