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第30卷 第2期 电 子 器 件 Vol.3O NO.2 2007年4月 Olin巴记Jo切比.1以 日ec恤”nr地via， Apr.2007 DesignofExtemalExtendedM System for侧MS320V5〔509 SONGHua书人口n，Hl万ia竹ue，DIN’GDe--sheng (Electronicsci比eandEnginem 馆入佣1，肠以入翻st饰1二rsity，Nd可1叮210096，以ina) Abstract:Akind ofmethedofusingSI一狠AM ，1以ZS1640OAof1S班C(〕toextendn从改刀。rys那ceofll护， 1水硬如20VC5509islnt找对uc喊 Bas祖onthe wor拓飞leatures ofs[)RAMandthe碑rfonnan ceofE么41F，sev巴al as户沈ts，suchasthestepsconfigmngthe曰祖Ffor SI万峨Maccesses ，thes[)RAM’sinitial如tionandau证抢 freshare discuss献 n川ngthestat日丁Lentofhawtoconti℃151狠AMwithEM】F，山econtentincludingconnection 悦伽既ndifferentcomman dandpinsofthe及祖Fandcomman dP式兄巴粥are Presentres户沈tlvely.H田月war elnteres faceandr匆stersprog阳刀r以ngbeb刀eenC5509and1S42S16400Aare p拍pos司conCretely. Keywo川5:DSP;EMIF;SDRAM;corIUna nd EEA(〔:1250 TMS320VC5509的片外扩展存储系统设计 宋华山，胡建学，丁德胜 (东南大学电子科学与工程学院，南京21。。96) 摘 要:介绍了利用IS42s16400A同步动态RAM(哑犯盛M)扩展TMS320vC5509L6p系统外部存储空间的设计方法.在研 究了154251“ooA的工作特性和C5509EMIF(Exte功目Me即rylnte班ace)性能的基础上，详细讨论了配置EMIF访问 班艰AM的步骤、肛狠AM的初始化和自动刷新.随后讲述了EhnF对SDR闪M的控制，分别给出了各种控制命令与EMIF引 脚的对应关系、命令的实现过程，并具体介绍了C5509与I硬件接口的实现和相应的寄存器配置程序. 关键词J6p;E加nF;SDR八M;命令 中图分类号:TP332 文献标识码:A 文章编号:1005一490(2007)02刁725刁4 在应用DSP对功率放大器进行预失真处理 SDRAM的主要特点为:一是同步访问，读写操作需 时，要根据功放的AMesAM与AMP‘M特性，制作 要时钟;二是动态存储，芯片需要定时刷新. 幅度自适应查找表(LUT)与相位自适应查找表[l]. 议ZS16400A采用Q以万工艺，它的同步接口和 由前端ADC的输出寻址的查找表，表项数多，对每 完全流水线的内部结构使其拥有极大的数据传输速 一项数据的精度要求高，DSP芯片有限的片内存储 率，可以工作在高达1“MHz的时钟频率下，刷新频 容量满足不了高速海量数据吞吐的要求.为了使系 率为4096次/64、 该SDRAM芯片内部有四个存 统能够及时、完整地处理前端采集的数据，采用 储体(bar永)，通过行、列地址分时复用系统地址总线， DSP外扩高速、容量大、价格低的SDRAM的解决 对不同存储体内不同页面的具体存储单元进行读写 方法.本文详细论述了基于1551公。A 访问寻址.在进行读操作之前，必须预先激活