北京科技大学新金属材料国家重点实验室耿文通教授北科大.docVIP

北京科技大学新金属材料国家重点实验室、材料科学与工程学院 教授、博士生导师 地址：北京市海淀区学院路30号；邮编：100083 电话：010传真：010Email: geng@ or wentong.geng@ 办公室：金物楼416 教育背景 理论物理 学士 兰州大学物理系，1992年6月。 理论物理 硕士 兰州大学物理系，1995年6月。 理论物理 博士 中国科学院物理研究所，1998年8月。 工作经历 1998-2001 美国 西北大学物理和天文系 博士后 2001-2002 德国 马普协会Fritz-Haber研究所 博士后 2002-2003 韩国 浦项工科大学化学系 研究助教授 2003-2005 日本 国家材料科学研究所 特别研究员 2005-2006 中国 青岛大学物理系 教授 2006- 北京科技大学材料学院、新金属材料国家重点实验室 教授 2007- 北京科技大学 建龙讲座教授 研究兴趣 以基于密度泛函理论的量子力学第一原理计算为手段，研究金属材料和无机非金属材料的力学、电学、磁学、及输运性质： 过渡金属表面与界面的磁性和结构性质 用于自旋电子器件的稀磁半导体、半金属探索 金属纳米线结构与电磁性质 分子器件的导电性质 高温合金的结构稳定性 学术服务 物理学和应用物理学领域国际著名学术期刊审稿人 Physical Review Letters （自2002年起） Physical Review B（自2001年起） Applied Physics Letters（自2005年起） Physics Letters A（自2004年起） Chinese Physics Letters（自2006年起） 近期发表论文 1. Geng WT, A. J. Freeman, Olson GB:“Atomic Size Effect in Impurity Induced Grain Boundary Embrittlement” Materials Transactions, 47, 2113-2114 (2006) 2. Geng WT, Wang JS, Olson GB: “Comment on “Grain Boundary Decohesion by Impurity Segregation in a Nickel-Sulfur System”” Science 309, 1677 (2005) 3. Geng WT, Kondo H, Nara J, Ohno T: “Effec of alkali metal adsorption on the conductance of a molecular device” Physical Review B 72, 125421 (4 pages) (2005) 4. Geng WT, Freeman AJ, Olson GB, Tateyama Y, Ohno T: “Hydrogen-promoted grain boundary embrittlement and vacancy activity in metals: Insights from ab initio total energy calculatons” Materials Transactions 46, 756-760, (2005) 5. Geng WT, Nara J, Ohno T: “Impacts of electrode metal and tilting angle on the conductance of molecular wire junctions” Applied Physics Letters 85, 5992-5994 (2004) 6. Nara J, Geng WT, Kino H, Kobayashi N, Ohno T: “Conductance of a molecule wire junction studied by Lippmann Schwinger method: Effect of the contact structure” Journal of Chemical Physics 121, 6485-6492 (2004) 7. Geng WT, Kim KS: Interplay of local structure and magnetism in Co-doped TiO2 Anatase Solid State Communications 129, 741-746 (2004) 8. Geng WT: Cr segregation at the Fe-Cr surface: A fir