Wafer制程及IC封装制程.pptVIP

Wafer制程 光罩品质特性与检验 CD值（微距，单位um），一般指光罩图型的线宽大小 图型及佈局确性（Pattern/Layout） 缺陷（Defect） 叠对性（Overlay） 热处理 在离布佈植后必须有一段热处理的步骤，去除 晶体中的缺陷或减低其密度。 热处理通常在 石英管惰性气体中进行。热处理温度一般在摄 氏1100度以下。時間视消除缺陷及杂志分布的 需要而定。 回火(Annealing) 接在离子植入法之后的过程 高温炉管加热让晶格重整 IC封装制程 二、现有的IC封装型式(2) TO:TOP UP (TO92，TO251，TO252，TO263，TO220) SOT: Small Outline Transistor WLCSP封装 投入研发的厂商有FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。 优点：缩小内存模块尺寸、提升数据传输速度与稳定性、无需底部填充工艺等。 符合可携式产品轻薄短小的特性需求 IC封装制程 研磨/切割 Wafer Saw 上片 Die Attach 焊线 Wire Bond 压模 Molding 印码 Marking 电镀 Plating 成型 Trim/Form 总检 Inspection 三、IC封装流程 包装 Pack 晶圆研磨 晶片从背面磨至适当厚度以配合产品结构和封装的需求。 晶圆正面贴上UV tape，再以机械的方式对晶圆研背面进行研磨，至所需之晶圆厚度，再以紫外线曝照胶带，使其由晶圆正面剥离取出。 晶圆切割 晶圆安装 切割 晶粒检查 上片准备 目的：将前段制程加工完成的晶圆上一颗颗晶粒切割 由于晶粒与晶粒之間距很小，而且晶粒又相当脆弱，因此晶片切割机精度要求相当高，切割的过程中会产生很多的小粉屑，因此在切割過程中必須不断地用纯水冲洗残屑，以避免污染到晶粒。 贴片 晶粒 银浆 導線架 晶粒座 (die pad) 把芯片装配到管壳底座或框架上去。 常用的方法：树脂粘结，共晶焊接，铅锡合金焊接等。 上片要求：芯片和框架连接机械强度高，导热和导电性能好，装配定位准 确，能满足自动键合的需要 树脂粘结法：采用环氧树脂，酚醛，硅树脂等作为粘接剂，加入银粉作为导电用，再加入氧化铝粉填充料 焊线 等离子清洗 焊线准备 焊线作业 焊线检查 模压准备 模压前检查 *利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来，以便实现晶粒之电路讯号与 外部讯号通信 * 焊线检查：焊线断裂，焊线短路、焊线弯曲、焊线损伤 *W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 连接晶片与导线架示意图 压模 Before Molding After Molding 等离子清洗 树脂回温 模压前L/F预热 磨面处理 模压检查 模压作业 模压后长烤 电镀准备 电镀准备 *为了防止外部环境的冲击，利用EMC把Wire Bonding完成后的产品封装起来的过程。 EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。 压模过程 焊线完成之导线架预热 置于研磨机之封装模上 封闭封装模 灌胶 开模 印码 ink laser 在产品的正面或背面显示出产品的型号、批次、生产日期、公司的logo等。 作用：给予IC元件适当之辨识及提供可以追溯生产之记号。 电镀 Before Plating After Plating 利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高导电性。 电镀一般有两种类型： Pb-Free：无铅电镀，采用的是99.95%高纯度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术 Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰 成型 去胶 去纬 去框 成型 （1）去胶（Dejuck）：是指利用机械磨具将脚间的费胶去除。即利用冲压的刀具（Punch）去除介于胶体（Package）与Dam Bar之间的多余的溢胶。 成型 （2）去纬（Trimming）：是指利用机械磨具将脚间金属连杆切除。 （3）去框（Singulation）：是指将已完成印章制程之Lead Frame以冲模的方式将Tie Bar切除，使Package与Lead Frame分开，以方便下一个制程作业。 切筋成型 切筋(Trim)：把塑封后的框架状态的制品分割成一个一个的IC成型(Form)：对Trim后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状,放置进Tube或者Tray盘中； 总检 目的：在完成封裝动作后，尽管I