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2017-05-23 发布于河南
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元器件交易网 Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V ’trench’ technology. The device ID Drain current (DC) 37 A features very low on-state resistance Ptot Total power dissipation 100 W and has integral zener diodes giving Tj Junction temperature 175 ˚C ESD protection up to 2kV. It is RDS(ON) Drain-source on-state 35 mΩ intended for use in DC-DC resistance VGS = 10 V converters and general purpose switching applications. PINNING - TO220AB PIN CONFIGURATION SYMBOL PIN DESCRIPTION d tab 1 gate 2 drain g 3 source tab drain