射频集成电路产业共性关键技术创新.docVIP

射频集成电路产业共性关键技术创新 主题专项申报指南 项目一：射频集成电路设计共性关键技术 1.目标任务 针对通信、北斗导航、射频识别、短距离通信、物联网、智能终端等射频产品设计开发的需求，在已有的高频低噪声设计技术、片上集成低相位噪声频率合成器设计技术的基础上，重点攻克多通道射频电路和高频低功耗设计技术等射频收发共性关键技术，形成GPS/BD 兼容卫星导航射频电路、低噪声放大器、测量型导航芯片、北斗/GPS多模卫星导航终端电路、RFID标签芯片等通信导航系列产品。 2.考核指标 项目实施完成后，形成信号跟踪灵敏度≤-164dBm、信号捕获灵敏度≤-148dBm的射频收发技术和多通道、高频低功耗的系列芯片。系列芯片产品将形成规模化生产，并应用于物联网、智能终端、北斗导航终端、物联网、智能穿戴设备等产品中，累计产值不低于3亿元。 3.经费设置 财政科技经费资助不超过400万元。自筹经费与财政拨款比例不低于4:1。 有关说明：要求企业牵头申报，鼓励产、学、研结合。 项目二：射频集成电路制造工艺共性关键技术 1.目标任务 针对北斗导航、通信装备、智能终端等设备对特色模拟集成电路制造工艺的需求，重点攻克超低温漂薄膜电阻溅射工艺优化、薄膜电阻长期稳定性控制、圆片级薄膜电阻动态修调等共性关键技术，满足射频集成电路芯片产业化加工需求，并形成兼容模拟集成电路制造工艺的特色高精度薄膜电阻关键材料的批量化生产能力。 2.考核指标 项目实施完成后，形成绝对温度系数≤30ppm/℃、相对温度系数≤10ppm/℃、修调后电阻精度≤±0.05%的金属薄膜电阻制造工艺，并建成具有量产能力的高精度薄膜电阻加工平台。相较现有材料性能指标提高10个百分点，高精度薄膜电阻技术指标达到国际先进水平，满足射频集成电路芯片产业化加工需求，产值累计不低于2亿元。 3.经费设置 财政科技经费资助不超过200万元。自筹经费与财政拨款比例不低于4:1。 有关说明：要求企业牵头申报，鼓励产、学、研结合。