Co-Si体系的润湿性及界面反应.pdfVIP

学兔兔 第l5卷第2期 粉末冶金材料科学与工程 2010年4月 、，01．15 NO．2 Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy Apr．2010 反应烧结SiC／Co．Si体系的润湿性及界面反应 李树杰 ，王川宝 ，宋曼键 ，贺跃辉 ，付春娟 (1．北京航空航天大学 材料科学与工程学院，北京 100191； 2．中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083) 摘 要：采用座滴法研究反应烧结(Reaction bonded)SiC／Co．Si体系在真空中的润湿性及界面反应，并研究si含量 和实验温度对润湿角的影响。结果表明，元素Si对反应烧结(RB)SiC／Co．Si体系的润湿性有显著影响，当Co．si 钎料粉体中si含量(质量分数)为6．7％和60％时，体系的最终润湿角都低于SiC／纯C0体系。SiC／Co．Si体系的润 湿过程属于反应性润湿，随着温度升高，润湿角明显减小。微观结构研究和XRD相分析表明，对于 SiC／Co 3Si 体系(Co．3Si钎料中Si的质量分数为3％)，界面区域发生了化学反应，反应产物为CoSi和碳，同时发生元素的互 扩散，形成反应中间层；对于 SiC／Co．60Si体系，界面反应产物只有 CoSi2，界面区域没有存留碳。界面反应改 变体系的界面结构，从而改善体系的润湿性。 关键词：润湿性；界面反应；SiC／Co．Si体系 中图分类号：TB331 文献标识码：A 文章编号：1673．0224(2OLO)2．110．07 Wettability and interfacial reaction of reactive bonded SiC／Co-Si system LI Shujie ，WANG Chuan．bao ，SONG Min-jian ，HE Yue．hui ，FU Chun-juan (1．School ofMaterials Science and Engineering，Beijing University ofAeronautics and Astronautics， Beijing 100191，China； 2．State Key Laboratory ofPowder Metallurgy,Central South University,Changsha 410083，China) Abstract：The wettability of reactive bonded(RB)SiC／Co·Si system was studied by the sessile dr叩 technique in vacuum．The effects of Si content and wetting temperature on the wettability of the system have been investigated． Compared with the RB SiC／pure Co system