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模电自测练习题（A） 一、填空 二极管?1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。 ．硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。 ．半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。 ．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。 ．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。 、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。 、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。 极管硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 。 6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。 8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC ??uB ??uE ??,??PNP管的 uC??????uB????uE ；工作在饱和区时 iC??? βiB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB ??=????0 ， iC ??=???0 。．由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。 、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。 ．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二，使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。 ．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 Ｉe=Ｉb＋ＩC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做 交流电流放大系数 ，用字母β表示。 ．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。 ．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　0.7Ｖ，饱和电压降为 0.3Ｖ ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为 0.1V 。 ．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。 ．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性曲线 。 ．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和 Ib的增量 的比值。 晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。 1 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。 ．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。 1、在判别锗、硅晶