利用Qcell功能创建工艺库-半神.pdf

利用IC5141 中Qcell 功能创建用于Layout-XL的简易工艺库 半神 当前有些加工厂提供完整的pdk，有些提供不完整的pdk，有些直接不提供pdk，导致版图工程师拿到 的只有一些tf文件和设计规则，这就导致版图设计过程中需要手动的画每一个mos管，电阻，电容等等基 本器件，极大的浪费了时间，更可能导致流片时间的推迟，市场的失去，甚至公司的倒闭。 因此，很有必要采用当前我们能够用到的技术水平，去改变这一情况。 本文就是基于这样的背景，讲解一下利用IC5141 中Qcell 功能来创建用于版图设计时顺手的简易工艺 库。 为方便说明整个过程，本文借助QQ 群中LEO 所给的tf创建一个库，然后展开。 步骤如下： 1、拿到csmc05的tf文件。 2、基于所得的tf文件，创建一个名称为csmc05的库。 打开Library Manager，直接在Library下的空格中输入csmc05，回车 弹出窗口中，选择好路径 点击OK，弹出界面中选择第一项 点击OK，在弹出的窗口中，填写好相应的tf所在的路径及具体的文件名 3、打开这个刚刚创建好的工艺库，里面还是有一些基本的contact的，但是要设计一个版图，还需要mos 管等器件，这里面没有，就需要我们自己创建了。 4、切换到CIW 窗口 5、点击Tools，下拉菜单中选择 ，弹出下面的界面 这里面有不少功能，本文不会一一讲解，用到就提一下。首先就是左下方的QCell，这将是本文中主要用 到的功能。 6、点开QCell，弹出下面的界面 7、在此界面中首先要选择好对应的技术库，然后就是需要的器件类型。下图列出本文中已经选择好的情 况，不同的工艺需要根据实际情况进行设置选择。 由于一般情况下，一个nmos管，包含diffusion、poly、contact、metal1、n+implant，当然了，有些工艺里 面还包含一些阱层，诸如dnwell 之类的，或者在铝栅工艺中，由于其大的 sub是nsub的，或者一些特别 的工艺里面，可能还有些别的层次，但是此处不再一一讲解，看懂了本文的整个流程和方法，再复杂的层 次也好处理。 此处根据实际工艺情况，还需要加上n+implant 这个注入层。 点击下方的 按钮，根据实际工艺情况，选择好对应的层次。 下面是选择设置好的图示 8、层次选择设置好以后，下面就是针对这些层次，给出相应的设计规则。点击Rules 按钮，切换到规则设 置界面。 在本界面中，另外还弹出一个图形界面，详细的指示出不同部位对应的设计规则，同时，由于某些tf文件 中已经包含了一些设计规则，所以在其后面都已经自动的填写好这些数据，并显示为“TechfileDefault”， 也提示你这个数据与tf文件中的是一致的。至于那些还没有填写数据的，则需要我们自己按照实际的设计 规则手动的填写。 下图显示的是所有数据填写好的情况，仅供参考 9、按照顺序，再切换到第三项：“StretchHandles”。 截图如下 由于某些时候可能会用到直接的拉伸一个mos管来改变某些参数，所以这里直接全部选中，及时后期用不 到也不影响什么，当然了，也可以根据个人的需要进行灵活的选择。 10、顺序切换到第四项：“ParameterDefaults”。下图显示的是选择设置好以后的情况，供参考。 11、基本的选项设置都结束了，可以通过点击右上方的“View Device Configuration”按钮来预览一下你的 经过刚才的一番设置，得到的nmos的cell。如果样子看着没什么大的问题了，就点击APPLY 按钮，存盘 吧。一般情况下，个人建议，多点几次，以确认其创建的成功。 12、一个简易的nmos管子的cell 已经创建好了，下面就是如何来使用这个cell 了。切换到LibraryManager 窗口，打开csmc05这个库，可以看到，里面多了一个nmos的cell。 点开这个nmos对应的layout，看一下是不是一个理想的nmos，如下图 此时，顺手选中左边的 TO 那一块，查看其属性，可以看到多了一个“Connectivity”的属性。 点击“Connectivity”，看一下其具体内容如下图所示： 这样一个属性，也就意味着，我们成功的创建了一个带有g、d、s三端的nmos基本cell。也就为后面将讲 到的Layout-XL 的应用，提供了很好的基础。