第05章.微机的存储器解释.pptVIP

（一）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位 （二）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示： 双数据传输率同步动态随机存储器：DDR DRAM（Double Data Rate DRAM） 在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay－1ocked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍。 硬盘的缓冲区是指硬盘本身的高速缓存(Cache)，高速缓存其实就是指硬盘控制器上的一块存取速度极快的DRAM内存 一、概述 光盘存储器根据光盘读写方式可分为以下几种： 5.5 内存条技术的发展 5.6 外部存储器 5.7 光盘驱动器 1.硬盘的磁头 磁头是硬盘进行读写的“笔尖”，通过全封闭式的磁阻感应读写，将信息记录在硬盘内部特殊的介质上。 亚铁盐类磁头 MIG磁头 薄膜磁头 磁阻磁头 采取了读写合一的电磁感应式磁头，在设计方面因为同时需要兼顾读／写两种特性，因此也造成了硬盘在设计方面的局限性 传统的磁头技术 引入了全新的分离式磁头结构，写入磁头仍沿用传统的磁感应磁头，而读取磁头则应用了新型的MR磁头 2.硬盘的盘面 市场上主流硬盘的盘片大都是由金属薄膜磁盘构成 目前已经有一些硬盘厂商开始尝试使用玻璃作为磁盘基片 硬盘的平均寻道时间是指硬盘在盘面上移动读写头至指定磁道寻找相应目标数据所用的时间。 平均潜伏时间，其含意是指相应磁道旋转到磁头下方的时间，一般情况下在2ms～6ms之间。 平均访问时间指平均寻道时间与平均潜伏时间的总和 4.硬盘的平均访问时间、平均寻道时间和平均潜伏时间 外部数据传输率是指电脑通过接口将数据传给硬盘的传输速度。 内部数据传输率是指硬盘将这些数据记录在盘片上的速度，反映硬盘缓冲区未用时的性能。 硬盘的外部数据传输率比内部传输率要快很多，在这两个速度之间有一缓冲区以缓解二者的速度差距 从硬盘缓冲区读取数据的速度又称为突发数据传输率 5.硬盘的外部传输率和内部传输率 6.硬盘的缓冲区 7.硬盘的接口类型 硬盘的接口类型主要分为EIDE(Enhanced Integrated Drive Electronics)和SCSI(Small Computer System Interface)两种 EIDE接口硬盘采用了PIO Mode 4模式，其传输速率可以达到16.6MB／s。 SCSI接口硬盘的基本数据传输率是20MB／s 5.4.1 存储芯片的扩充 存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线 5.4 存储器的连接（重点） 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据 利用多个芯片扩充数据位 这个扩充方式简称“位扩充” 位扩充 1、位数的扩充 两片2114（1K X 4 ）构成1K X 8 2114 （1） A9～A0 I/O4～I/O1 片选 D3～D0 D7～D4 A9～A0 2114 （2） A9～A0 I/O4～I/O1 CE CE 多个位扩充的存储芯片的数据线连接于系统数据总线的不同位数 其它连接都一样 这些芯片应被看作是一个整体 常被称为“芯片组” 芯片的地址线和芯片的容量有关，通常少于系统地址线的根数（20根） 连接时，通常把芯片的地址线与系统的低位地址总线相连 称与芯片相连的系统低位地址线为片内地址 寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，所以又称为“片内译码” 2、地址的扩充 用2片1K×8位的存储器芯片组成2K×8位存储器连接线路。 背景知识： 片内译码 A9～A0 存储芯片 000H 001H 002H … 3FDH 3FEH 3FFH 全0 全1 00…00 00…01 00…10 … 11…01 11…10 11…11 范围（16进制） A9～A0 系统总线的高位地址？？？ 存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量 也就是扩充了存储器地址范围 进行“地址扩充”，需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片（组）进行寻址 这个寻址方法，主要通过将存储芯片的片选端与系统的高位地址线相关联来实现 系统总线的高位地址，参与译码，选中不同的存储器芯片 地址扩充（字扩充） 片选端 D7～D0 A19～A10 A9～A0 A9～A0 D7～D0 CE （1K×8） A9～A0 D7～D0 CE 译码器 0000000001 0000000000 （1K×8） 用4片16K×8位的存储器芯片组成64K×8位存储器连接线路。 各芯片的地址取值范