单片低噪放设计.pdfVIP

第21卷　第3期 固体电子学研究与进展 V o l. 21,N o. 3 　　　　　 　　　　　　 2001 年 8 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE A ug. , 2001 S 波段 PHEM T 单片低噪声放大器 岑元飞　陈效建　王军贤　高建峰　林金庭 (南京电子器件研究所, 210016) 收稿,收改稿 摘要: 采用 PH EM T 结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S 波段低噪声放大器。利用H P 软件系统提取 管芯的 1 模型参数, 并结合 软件的 IC CA P PH EM T EEH EM T H P EE sof Series IV 优化设计, 及Cadence L ayout 版图设计, 最终在 76 mm 的M BE 圆片上实现了单片电路。该单片 在无任何调配的情况下, 成功地应用于单片接收机前端中。 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管; 低噪声; 放大器; 模型; 单片集成电路 中图分类号: TN 722. 3　　文献标识码:A 　　文章编号:(2001) 0327105 - S band PHEM T M onolith ic L ow No ise Am plif ier 　 　 　 　 CEN Yuanfei CH EN X iao jian W AN G Junx ian GAO J ianfeng L IN J in ting ( , 210016, ) N anj ing E lectronic D ev ices Institu te CH N : Abstract A S band MM IC low no ise am p lifier w ith sm all cu rren t and perfect . 1 V SW R has been accom p lished in PH EM T structu re W ith the EEH EM T m odel , param eters ex tracted from PH EM T ch ip u sing H P IC CA P softw are system and , design ing of H P EE sof Series IV and Cadence L ayou t its MM IC w as com p leted in 76 mm M BE w afer. T he MM IC has been successfu lly app lied in a M ono lith ic .