半导体材料工程-- 第2讲.pdfVIP

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半导体材料工程 第二讲 半导体物理基础(1)  能带和掺杂 主讲教师:兰爱东 从氢(H)到硅(Si ) # of Electrons 1 2 3 Z Name 1s 2s 2p 3s 3p 3d Notation 1 H 1 1s1 2 He 2 1s2 3 Li 2 1 1s2 2s1 4 Be 2 2 1s2 2s2 5 B 2 2 1 1s2 2s2 2p1 6 C 2 2 2 1s2 2s2 2p2 7 N 2 2 3 1s2 2s2 2p3 8 O 2 2 4 1s2 2s2 2p4 9 F 2 2 5 1s2 2s2 2p5 10 Ne 2 2 6 1s2 2s2 2p6 11 Na 2 2 6 1 1s2 2s2 2p6 3s1 12 Mg 2 2 6 2 1s2 2s2 2p6 3s2 13 Al 2 2 6 2 1 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1 14 Si 2 2 6 2 2 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 15 P 2 2 6 2 3 1s2 2s2 2p6 3s2 3p3 16 S 2 2 6 2 4 1s2 2s2 2p6 3s2 3p4 17 Cl 2 2 6 2 5 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5 18 Ar 2 2 6 2 6 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 硅原子(Silicon Atom ) 14 个电子占据三个能量壳层: 1s, 2s, 2p 轨道被10 个电子填满 3s, 3p轨道上有4 个电子 硅原子的杂化轨道 为降低总能量,3s 和3p 轨道杂化为4个正四面体3sp 轨道, 每个轨道上有一个电子,可以与相邻原子形成化合健,即有 四个价电子; 主要半导体的结构类型 金刚石(Diamand)和闪鋅矿(Zinc Blende)结构 Si 的晶体结构

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