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简答题： 1. coulomb 阻塞效应（14 章451 页）。 Coulomb 阻塞：在量子点的研究中，不但电子的波动性是关键，而且以e 为单位的电荷 的分立性也具有重要性。纳米结构的电容C 可能会非常小，以至于给量子点增加一个电子的 2 荷电能e /2C 会超过其热运动能，一个大的电荷可以阻止纳米结构增加或移走甚至是一个电 子，这就是量子输运过程中隧穿的Coulomb 阻塞效应。 2. 金属团簇的幻数（14 章443 页）。 在团簇的丰度随着所含原子数目n 的增大而缓慢下降的过程中，在某些特定值n=N，出 现突然增强的峰值，表明具有这些特定原子(分子)数目的团簇具有特别高的热力学稳定性。 这个数目N 称为团簇的幻数。 3. 巨磁阻效应（14 章433 页）。 巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变 化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁 材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散 射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的 电阻最大。 4. 近藤效应（13 章410 页14 章455 页）。 实验上发现某些掺有磁性杂质原子的非磁性金属（例如，以铜、金、银等为基，掺入杂 质铬、锰、铁等的稀固溶体）的电阻－温度曲线在低温下出现一个极小值，此现象称为近藤 效应。近藤效应是带有自旋的定域化电子与能带中的传导电子相互作用的多电子效应。 5. 磁掺杂形成的条件，指的是Mott 的磁掺杂（13 章396 页）。 在Mott 绝缘体中，通过掺杂可以改变材料的性能，Mott 绝缘体的特征是整数的填充因 子，即d 带填充的电子数是整数。对于Mott-Hubbard 绝缘体而言，掺杂之后Fermi 能级高 于Hubbard 子带的顶带，在d 带产生空穴。对于电荷转移绝缘体而言，掺杂之后Fermi 能级 高于2p 带的顶带，在2p 带产生空穴。 对于磁掺杂主要是在电荷转移绝缘体上，例如La Sr CuO （0x0.3）,随着Sr 掺杂增 2-x x 4 多，La CuO 的反铁磁长程序将被破坏而变为超导体，电子间的强关联起到了重要的作用。 2 4 那么掺杂转变的条件是：Hubbard 能Ui=Udd 或Upp，对应的是电子在Cu 的3d 轨道或O 的 2p 轨道的强关联。 2+ 3+ 在La CuO 超导体中掺杂Sr，掺杂Sr 取代La 之后，在产生一个p 空穴，p 空穴意味 2 4 着在氧原子的p瓣有一个未被补偿的自旋环绕着Cu格位上的自旋，出现p-d杂化带来的Cu-O 之间的交换作用。 6. Mott 绝缘体（13 章385 页）。 Mott 转变：从能带理论紧束缚近似，可知原子间距降低时，由于相邻原子波函数交叠 增加，能带宽度B 也增加，另一方面，电子导电性要求电子从一个原子跳到另一个原子，发 生同一格座轨道上的双占据，需要增加能量U，Mott 转变发生在B=U 时，UB 绝缘态，UB 金属态。因为B 依赖于原子间距，U 对间距不敏感，所以改变原子间距就会引起Mott 转变。 由Mott 转变产生的绝缘体称为Mott 绝缘体 7. 迁移率边的概念 （9 章279 页）。 迁移率边是区分定域态和离域态的临界能量Ec,其经典对应则是渗流模型的阈值，迁移 率边的概念可用于研究发生金属-绝缘体转变的掺杂半导体的杂质电导。在每个能带的主要 部分内，态都是扩展的，对小于临界值的中间无序度，有两个能量把定域态从扩展态里分离 开来,这种能量分界线称之为迁移率边。 8. Anderson 模型（ 9 章276 ）。 电子在无规势场中扩散，Anderson 假定其无规表现在每个格点的电子能级Ɛi 从能量宽 度为W 的分布中随机选取，我们可以理解，此时W 越大，其每个能量出现的概率P(Ɛ)=1/W 越小，系统越无序。我们考虑两个极端情况：1）当W 等于0 时，所有格点的能量Ɛi 为定值， 而没有随机分布，此时系统不存在无序，此时根据紧束缚近似可知，能带宽度为B （其与格 点间耦合有关，耦合作用越强，宽度越大）。2）当每个原子彼此远离，使得每格点间耦合作 用为0，每个格点为孤立，此时B=0。这时代表了