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氮偏压对α-GaAs_（1-x）N_x薄膜性能的影响
第 41卷第 4期 应 用 化 工 Vo1．41No．4 2012年4月 AppliedChemicalIndust~ Apr．2012 氮偏压对 一GaAs1一 薄膜性能的影响 张丽明，王莹 (商丘职业技术学院，河南 商丘 476000) 摘 要：采用磁控溅射方法在硅片上制备了不同氮偏压下的非晶GaAs。…N薄膜，结合拉曼光谱仪和椭偏仪等手 段对样品进行了表征。结果表明，掺入氮气后，-GaAs薄膜的拉曼光谱有明显变化；随着氮偏压的升高，-GaAs-…N 薄膜的折射率和消光系数逐渐减小，其峰值向短波长略微移动。另外，-GaAs．…N 薄膜在红外和近红外波段内几 乎是透明的。 关键词 ：磁控溅射；GaAs。…N 薄膜 ；拉曼光谱仪；椭偏仪 中图分类号：O484 文献标识码：A 文章编号：1671—3206(2012)04—0588—03 Effectofpressureofnitrogenonthepropertiesof ·GaAs1 Nxfilms 一 ZHANGLi—uring，WANG (ShangqiuVocationalTechnologyCoHege，Shangqiu476000，China) Abstract：AmorphousGaAs1 一 N filmswerepreparedonSisubstrateusingradiofrequency(RF)magne— tronsputtering，Raman spectrometerand spectroscopic ellipsometrywere employed to characterizethe GaAs1 N films．Itwasfound thatthepressureofnirtogen haslarge effecton theRaman spectraof 一 N films．Therefractiveindexandtheextinctioncoefficientof -GaAs1 N filmsboht werede— GaAs1一 一 creasedwiththeincreaseofnitrogenpressure，andOt—GaAs1 N filmswerertansparentedinredandnear 一 infraredwavelenght regions． Keywords：magnetronsput
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