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怎样选择电源芯片
LDO线性降压芯片:原理相当于一个电阻分压来实现降压,能量损耗大,降下的电压转化成了热量,降压的压差和负载电流越大,芯片发热越明显。这类芯片的封装比较大,便于散热。
LDO线性降压芯片如:2596,L78系列等。
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DC/DC降压芯片:在降压过程中能量损耗比较小,芯片发热不明显。芯片封装比较小,能实现PWM数字控制。
DC/DC降压芯片如:TPS5430/31,TPS75003,MAX1599/61,TPS61040/41
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关于LDO电源
2007-08-31?13:39
以前经常看见,说什么芯片是LDO的,以为是某一公司的名号。现在才知道,LDO是low?dropout?regulator,意为低压差线性稳压器,是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v,显然是不满足条件的。针对这种情况,才有了LDO类的电源转换芯片。生产LDO芯片的公司很多,常见的有ALPHA,?Linear(LT),?Micrel,?National?semiconductor,TI等。
什么是?LDO(低压降)稳压器?
LDO?是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或?FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下?100mV?之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的
LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为?PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为?200mV?左右;与之相比,使用?NPN?复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为?2V?左右。负输出?LDO?使用?NPN?作为它的传递设备,其运行模式与正输出?LDO?的?PNP设备类似。
更新的发展使用?CMOS?功率晶体管,它能够提供最低的压降电压。使用?CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的?ON?电阻造成的。如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏。
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LDO?VS?DCDC
DCDC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换),只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,
包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。
?????LDO是低压降的意思,这有一段说明:低压降(LDO)线性稳压器的成本低,噪音低,静态电流小,
这些是它的突出优点。它需要的外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容。新的LDO线性稳压
器可达到以下指标:输出噪声30μV,PSRR为60dB,静态电流6μA,电压降只有100mV。LDO线性稳
压器的性能之所以能够达到这个水平,主要原因在于其中的调整管是用P沟道MOSFET,而普通的线
性稳压器是使用PNP晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的,不需要电流,所以大大降低了器件本身消
耗的电流;另一方面,采用PNP晶体管的电路中,为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力
,?输入和输出之间的电压降不可以太低;而P沟道MOSFET上的电压降大致等于输出电流与导通电阻
的乘积。由於MOSFET的导通电阻很小,因而它上面的电压降非常低。
?????如果输入电压和输出电压很接近,最好是选用LDO稳压器,可达到很高的效率。所以,在把锂离子电
池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最後有百分之十是没有使用
,LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长,同时噪音较低。
?????如果输入电压和输出电压不是很接近,就要考虑用开关型的DCDC了,应为从上面的原理可以知道,
LDO的输入电流基本上是等于输出电流的,如果压降太大,耗在LDO上能量太大,效率不高。
DC-DC转换器包括升压、降压、升/降压和反相等电路。DC-DC转换器的优点是效率高、可以输出大
电流、静态电流小。随著集成度的提高,许多新型DC-DC转换器仅需要几只外接电感器和滤波电容
器。但是,这类电源控制器的输出脉动和开关噪音较大、成本相对较高。
?????近几年来,随著半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的
成本不断降低,体积越来越小。由於出现了导通电阻很小的MOSFET可以输出很大功率,因而不需要
外部的大功率FET。例如对于3V的输入电压,利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的输出。其次,对于
中小功率的应用,可以使
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