微电国贸专业05级《集成电路基础》期末考试B卷〔答案〕.docVIP

2007～2008学年 第一学期 电子系 05级 微电国贸 专业 《集成电路设计基础》课程 期末考试 B卷（答案） 班级 学号 姓名 成绩 填空（每空1分，计15分） 1、在半定制集成电路设计包括 门阵列 、门海及 标准单元法 。 2、集成电路信号传输中的延迟由两部分组成：一部分是 信号延迟 ， 另一部分是 器件延迟 。 3、光刻工艺主要包括涂胶、 前烘 、曝光、 显影 、 烘干 、腐蚀及 去胶 等七大步骤。 4、根据阱的导电类型，CMOS电路分为 P阱CMOS 、 N阱CMOS 和 双阱CMOS 。 5、MOS电路在工作中，为了使管子电流只在沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流，必须使NMOS管的衬底接 地 ，PMOS管的衬底接 电源（VDD.） 。 6、集成电路制造过程中的两种主要掺杂工艺是 热扩散 和 掺杂 。 选择（每题2分，单项多项均有，计12分） 集成电路的发展特点主要表现在（A、B、D ） （A）特征尺寸越来越小 （B）晶片尺寸越来越大 （C）电源电压越来越高 （D）布线层数越来越多 利用干氧氧化法制备的二氧化硅膜的特点有（A、B、C ） （A）膜结构致密 （B）掩蔽能力强 (C) 钝化效果好 （D）与光刻胶接触时，易产生浮胶 MOS管极间电容主要包括下述哪些电容（A、B、C、D） 栅极和沟道之间的氧化层电容 衬底和沟道之间的耗尽层电容 多晶硅栅与源、漏之间交叠形成的电容 源、漏与衬底之间的结电容 工艺中常用的扩散方法有（A、B、C、D） 液态源扩散 片状源扩散 固固扩散 涂层扩散 CMOS反相器上升时间tr的定义是（ A ） 输出电压U0从0.1UDD上升到0.9UDD所需要的时间 输出电压U0从0.1UDD上升到UDD所需要的时间 U0从0上升到0.5UDD所需要的时间 U0从0下降到0.5UDD所需要的时间 6、动态COMS集成电路结构中比伪NMOS电路多了两个管子，即 （ C、D ） （A）NMOS管 （B）PMOS管 （C）预充电管 （D）求值管 三、流程绘制（计15分） 试绘制双极型NPN晶体管工艺流程图，并用文字简要说明各流程作用。 （答案在打印纸中给出） 四、电路设计 试用STTL电路绘制出异或门电路原理图。（15分） （答案在打印纸中给出） 五、综合题 1、利用CMOS元件实现异或门电路功能，画出其电路原理图。(12分) F= A⊕B （答案在打印纸中给出） 2、设计一个逻辑电路供三人(A、B、C)表决使用。每人有一个按键，如表示赞成，就按下此键，如果多数赞成，则灯亮，否则灯不亮 第 4 页 共 4 页