〔电子封装〕习题选解.ppt

《电子封装》习题选解 中英文概念对应（1） ALIVH Any Layer Inner Via Hole Structure 任意层内互联孔结构 BBit Buried Bump Interconnection Technology 埋置凸点互联技术 BGA Ball Grid Array 球栅阵列封装 CSP Chip Scale Package 芯片级封装 FCA Flip Chip Attach 倒装芯片封装 FCB Flip Chip Bonding 倒装焊微互联 HTCC High Temperature Cofired Ceramics 高温共烧陶瓷 ILB Inner Lead Bonding 内侧引线键合 LSI Large Scale Integration 大规模集成电路 OLB Outer Lead Bonding 外侧引线键合 PCB Printed circuit board 印制电路板 PCVD Plasma Chemical Vapour Deposition 等离子体化学气相沉积 PDP Plasma Display Panel 等离子体显示板 中英文概念对应（2） QFD Quad Flat Package 四侧引脚扁平风阻昂 RCC Resin Coated Copper 涂树脂铜箔 SiP System in a Package 封装内系统（系统封装） SoC System on a Chip 芯片上系统（系统集成） SMD Surface Mount Devices 表面贴装元件 SMT Surface Mount Technology 表面贴装技术 TAB Tape Automatic Bonding 带载自动键合 TFT Thin Film Transistor 薄膜三极管 UBM Under Bump Metal 凸点下金属 ULSI Ultra Large Scale Integration 超大规模集成电路 WB Wire Bonding 引线连接 7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。 干法刻蚀优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。 干法刻蚀缺点：成本高，设备复杂。 湿法刻蚀优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。 湿法刻蚀缺点：钻刻严重、对图形的控制 性较差，不能用于小的特征尺寸，会产生大量的化学废液。 11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化学气相沉积（PCVD）的工艺特征 从气氛压力、材料供给（方法）、材料温度、基板温度和材料、膜面积、膜厚、膜厚控制、析出速度、附着性、外延特性、可应用的对象、激发介质等方面进行比较。 参考田民波《电子封装工程》清华大学出版社2003年9月版，145页 21.对比SoC与SiP SoC（系统集成）是CPU及其周边电路搭载在同一芯片上，SiP（系统封装）将不同种类的元件，通过不同种技术，混载于同一封装之内，由此构成系统封装形式。 异种器件的集成化，通过芯片层叠化来实现，SiP比SoC易于小型化。 生产数量多，如100万个以上，SoC价格比SiP低；生产数量少，如100万个以下，SiP价格比SoC低。 SiP可以使用既存的芯片，SiP开发供货期比SoC短。 SiP可以实现现有设计资产芯片化，SiP对设计资产的再利用性比SoC好。 SoC母线宽度容易扩大，SoC比SiP有利于实现高速化。 SoC负荷较小，故SoC比SiP易于实现低功耗。 说明：参考田民波《集成电路（IC）制程简论》清华大学出版社2009年12月版，154页 23.简述Ag-Pb导体浆料与Al2O3基板烧结结合的机理。 Ag中添加Pd，当Pd含量超过0.1时即产生效果，但当Pd加入太多时，其中的Pd在厚膜电路外敷层温度300-760℃范围内，发生氧化生成PdO，不仅使焊接性能变差，而且造成导体电阻增加。因此Ag:Pd应控制在2.5:1 ~ 4.0:1。通过粒度控制，采用球形Ag颗粒，防止凝聚，使膜的导电密度提高。 为提高Ag-Pd导体焊接浸润性，以及导体与基板的结合强度，需要添加Bi2O3。在烧成过程中，部分Bi2O3溶入玻璃中，使玻璃相对成分增加的同时，与Al2O3基板发生反应：Al2O3 + Bi2O3 → 2(Bi·Al)2O3 随着Bi含量增加，膜的结合强度增大。但焊接时对膜加热，金属粒界与玻璃之间的Bi2O3会发生还原反应：2Bi2O3 + 3Sn → 4Bi + 3SnO2。由于Bi的生成而使结合强度下降。 由于基板与导体界面之间发生还原反应，在极端情况下，附着力会变得很差。另外焊接后样品在老化也会使导线的结合强度下降。这是因为老化时，焊料主