《基础电子技术》1.6场效应半导体晶体管.ppt

当uGS=0时，在漏、源之间 加有一定电压时，在漏、源间将 形成多子的漂移运动，产生漏极 电流。当uGS＜0时，PN结反 偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，iD将减小。 uGS继续减小，沟道继续变 窄，iD继续减小直至为0。当漏 极电流为零时所对应的栅源电压 uGS称为夹断电压UGS(off)。这一 过程如图所示。 当uDS增加到使uGD=uGS-uDS=UGS(off)时，在紧靠漏极处 出现预夹断。当uDS继续增加，漏极处的预夹断区继续向源 极方向生长延长，直至将漏极电流等于0。 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本相同，只不过MOSFET的栅压uGS可正、可负，而结型场效应管的栅压uGS只能是P沟道的为正或N沟道的为负，以保证栅源间的PN结反偏，没有栅极电流。JFET的特性曲线如图01.06.11和图01.06.12所示。 场效应晶体管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三类： 1. 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。 1.6.3.4 场效应晶体管的型号 场效应晶体管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型晶体管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表 绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层 是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应 晶体管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应晶体管。 几种常用的场效应晶体管的主要参数。 双极型晶体管管 场效应晶体管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型晶体管 场效应晶体管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 N沟道 JFET 类型 漏极输出特性曲线 转移特性曲线 P沟道 JFET 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。简要的文字说明见下一页。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。文字说明见下一页。 1.6 场效应晶体管 1.6.1 绝缘栅场效应晶体管 1.6.2 结型场效应晶体管 1.6.3 场效应