VDMOS器件的1 噪声检测方法研究 .pdfVIP

学兔兔 第5O卷 总第 575期 电测与仪表 VOI．5ONo．575 2013年 第 11期 ElectricalM easurement Instrumentation Nov．2013 ：l： VDMOS器件的1 噪声检测方法研究 陈晓娟，杜娜，贾明超 (东北电力大学信息工程学院，吉林 吉林 132012) 摘要：VDMOS器件中的1j／+~声是表征该器件质量和可靠性的重要敏感参数，在检测器件噪声过程中，1 桑声是 被淹没在大量 白噪声背景下的一种微弱信号，为了能准确检测出17／信号，本文提出了基于小波熵软阈值1胂金测 方法。利用1艨 声及白噪声在不同分解层次上小波系数熵的变化特点，根据信号子带高频小波系数的最大小波 熵是由白噪声引起的，对不同分解尺度上的高频系数进行小波熵阈值量化处理，最后对信号进行重构，去掉了 严重的白噪声，实现1信号的检测。实验表明与传统软阈值去噪的性能分析比较可知，该方法提高了检测1憔 号的准确率。 关键词：VDMOS器件；1j／+~声；小波熵软阈值 中图分类号：TM93 文献标识码 ：A 文章编号：1001—1390(2013)l1-0042—05 Studyon1f／NoiseDetectionMethodinVDMOSDevice CHENXiao-juan，DUNa，JIAMing-chao (CollegeofInformationEngineering，NortheastDianliUniversity，Jilin132012，JiLin，China) Abstract：The1f／noiseinVDMOSdeviceisanimportantsensitiveparameterforcharacterizingthequalityand reliabilityofthedevice．Intheprocessofdevicenoisedetection，1f／noiseisaweaksignalsubmergedinthecontextofa largenumberofwhitenoise．Inordertoaccuratelydetect1f／signal，awaveletentropybasedsoftthresholdingmethodis proposedinthispaper．Consideringdifferentcharacteristicsofwaveletcoefficiententropiesofr1f／noiseandwhitenoise changesatdifferentlevels，andnoticingthefactthatthemaximum waveletentropyforthehighfrequencywavelet coefficientsofthe sub-band signaliscausedbywhitenoise，thewaveletentropy threshold quantization processis conductedonhighfrequencycoefficientsatdifferentscales．Finallythesignalisreconstructedtoremovetheseverewhite noiseanddetecttheif／signa1．Experimentsshowthatcomparedwiththeperformanceoftraditionalsoftthresholding methods，themeth