5静电放电探究.ppt

静 电 放 电;内容提纲;简 介;在芯片上普遍采用复杂的ESD保护结构来防止IC部件免于ESD应力导致的破坏 ;ESD测试模式 ;HBM模型 ;HBM模型 ;MM模型 ;CDM模型 ;具有一个非常短的上升时间tr(~1ns)，一个非常大的电流值 ;IEC模型 ;由于非常小的R和零L，其具有特别短的上升时间，tr(1ns)，非常大的电路峰值，Ipeak(达到几十安培) ;以上模型的比较 ;TLP模型 ;ESD保护结构;典型的ESD I-V特性 ; 二极管ESD器件;二极管ESD器件 ;NMOS ESD器件 ; SCR ESD器件 ; SCR ESD器件 ;ESD保护电路;ESD保护电路;主－从ESD保护电路;gCNMOS保护电路;低Vt1 ESD保护电路;复合多向释放通道的ESD保护电路;复合多向释放通道的ESD保护电路;复合多向释放通道的ESD保护电路;辅助触发的SCR类型ESD保护电路;ESD保护电路;能量钳位;芯片的ESD整体防护;芯片的ESD整体防护;混合信号和RF电路中的ESD保护;ESD电路的失效分析;输入端保护 硅中场氧化层界面处的空洞/凹槽;输入端保护 n＋区与栅氧化层间的介质击穿;输出端保护 漏区接触处的击穿;版图和工艺的相关问题;版图和工艺的相关问题;ESD失效建模;ESD失效模拟;ESD与电路之间的相互作用;不同结构的ESD导致电路频率的下降;小 结