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2017-05-02 发布于浙江
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mmst3906

2.30±0.05 1.25±0.05 1. 30 ± 0. 03 0. 30 2. 00 ± 0. 05 1. 01 RE F JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST3906 TRANSISTOR ( PNP ) FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W（Tamb=25℃） Collector current ICM : -0.2 A Collector-base voltage V(BR) CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified） Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -10 μA， IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= -1 mA， IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -10μA， IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V , IE=0 -0.1 μA Collector cut-off current ICEO VCE= -40 V , IB=0 -0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V , IC=0 -0.1 μA hFE（1） VCE=- 1V, IC= -10mA 100 300 DC current gain hFE（2） VCE= -1V, IC=- 50mA 60 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-50 mA, IB= -5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= -50 mA, IB= -5mA -0.95 V Transition frequency fT VCE= -20V, IC= -10mA f=100MHz 300 MHz Output Capacitance Cob VCB=-5V, IE= 0 f=1MHz 4.5 pF Delay time td 35 nS Rise time tr VCC=-3V, IC=-10mA VBE(off)=-0.5V,IB1=-1mA 35 nS Storage time tS 225 nS Fall time tf VCC=-3V, IC=-10mA IB1= IB2= -1mA 75 nS Marking: K5N Unit:mm SOT-323 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR SOT-323 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ Min 0.900 0.000 0.900 0.200 0.080 2.000 1.150 2.150 1.200 0.260 0° Max 1.100 0.100 1.000 0.400 0.150 2.200 1.350 2.