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3.2 半导体材料1 电子器件与工艺课件
3.2 半导体材料;3.2.1 半导体中的电子特征;半导体能带结构的基本特征
－直接带隙和间接带隙半导体;电子的有效质量;半导体中的载流子－电子和空穴;本征半导体－不含杂质的半导体;施主掺杂及n型半导体; ;施主能级和施主电离;受主掺杂及p型半导体;类氢原子模型：;杂质能级上的电子和空穴分布;n型半导体的平衡载流子浓度;p型半导体的平衡载流子浓度;非平衡载流子;漂移速度和迁移率;电导率的影响因素－载流子的散射;p-n结的制备工艺;p-n结平衡能带结构;;;;;直接吸收;光生伏特效应（Photovoltaic Effect）;;霍尔效应的产生机制;霍尔系数及霍尔迁移率;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体;Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体的晶体结构;GaAs半导体的能带结构;;;;InSb半导体的能带结构;;GaP半导体的能带结构;GaAs中的杂质和缺陷;Ⅱ、Ⅳ族化合物???导体的一般性质;Ⅱ、Ⅳ族化合物半导体的一般性质;Ⅱ、Ⅳ族化合物的晶体结构;Ⅱ、Ⅳ族化合物的能带结构;Ⅱ、Ⅳ族化合物的杂质;3.2.3 半导体材料制备工艺方法 总结;高纯多晶（如Si）半导体材料：
;半导体薄膜制备工艺－外延技术（Epitaxy）：
气相外延法（CVD）
;3.2.4 半导体材料应用举例;;3.2.4.1 在集成电路（IC）上的 应用;Si 单晶：;GaAs单晶：;发光二极管（LED）
太阳能电池材料（Solar Cells）
光电阴极材料（Photo-electric Cathode）
激光器材料（Laser）
微波器件（Microwave Devices）
传感器中的应用（Sensor）;补充资料一：白色有机发光二极管（OLED）;;补充二：无机太阳能电池研究进展;太阳能电池的发展方向
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