分子束外延InAs.PDFVIP

第 ４６卷　 第 ９期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．９ 　 ２０１６年 ９月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ，２０１６ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１６）０９１１０６０４ ·红外材料与器件· 分子束外延 ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ类超晶格的缺陷研究 邢伟荣，刘　铭，尚林涛，周　朋，周立庆 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对 ＧａＳｂ衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究，首先对材料表面缺陷分类， 然后分析了各类缺陷的起源，并研究了生长温度、ＧａＳｂ生长速率、Ａｓ／Ｉｎ束流比等对超晶格表 面缺陷的影响，对制备高性能大面阵探测器的Ⅱ类超晶格材料生长具有参考价值。 关键词：Ⅱ类超晶格；分子束外延；缺陷；起源 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１６．０９．０１６ ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｄｅｆｅｃｔｓｏｆｔｙｐｅⅡＩｎＡｓ／ＧａＳｂｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓｇｒｏｗｎｂｙＭＢＥ ＸＩＮＧＷｅｉｒｏｎｇ，ＬＩＵＭｉｎｇ，ＳＨＡＮＧＬｉｎｔａｏ，ＺＨＯＵＰｅｎｇ，ＺＨＯＵＬｉｑｉｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｙｐｅⅡ ＩｎＡｓ／ＧａＳｂｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓｈａｖｅｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆａｄｊｕｓｔａｂｌｅｂａｎｄｇａｐ，ｈｉｇｈｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ， ｌｏｗｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔ，ｅａｓｙｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｆｏｒｌａｒｇｅａｒｒａｙ，ｅｔｃ，ｓｏｉｔｉｓｔｈｅｍａｉｎｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｔｈｅｔｈｉｒｄｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃ ｔｏｒｓＴｙｐｅⅡ ＩｎＡｓ／ＧａＳｂｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓｗａｓｇｒｏｗｎｂｙＭＢＥｏｎＧａＳｂｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ａｎｄｔｈｅｄｅｆｅｃｔｓｏｆｍａｔｅｒｉａｌｓｕｒｆａｃｅｗｅｒｅ ｃｌａｓｓｉｆｉｅｄａｎｄｉｔｓｃａｕｓｅｓｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄＴｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓｏｆｇｒｏｗｔｈｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｇｒｏｗｔｈｒａｔｅｏｆＧａＳｂ，Ａｓ／Ｉｎｒａｔｉｏｏｎｄｅ ｆｅｃｔｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄＴｈｒｏｕｇｈｔｈｅｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｇｒｏｗｔｈｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，ｈｉｇｈｑｕａｌｉｔｙｔｙｐｅⅡ ＩｎＡｓ／ＧａＳｂｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓｗｅｒｅ ｏｂｔａｉｎｅｄ，ｗｈｉｃｈｈａｓａｃｅｒｔａｉｎｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｈｉｇｈｑｕａｌｉｔｙｌａｒｇｅｆｏｒｍａｔｔｙｐｅⅡ ＩｎＡｓ／ＧａＳｂｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ ｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｔｙｐｅⅡ ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ；ｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ；ｄｅｆｅｃｔｓ；ｏｒｉｇｉｎ １　引　言 究表明探测器阵列性能表面缺陷有密切关系，减少 １９７７年，Ｓａｋａｋｉ和 Ｅｓａｋｉ提出了 ＩｎＡｓ／ＧａＳｂⅡ 超晶格表面缺陷极为重要。 类超晶格的概念［