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第三章 传感器;3.1 压力传感器;测压仪表的分类: ;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;图为膜片式应变片压力传感器,4个电阻全为工作片,全桥接法:
知:ε2= ε4 ,ε1= ε3 ,
且 ε1= ε3 =- ε2
= - ε4 = -ε
则:
;2.压阻式压力传感器
压阻效应:半导体材料在受力时电阻率发生变化,这一特 性称为压阻效应。 (硅、锗 / 石英片、压电陶瓷等)。
电阻变化与应变值之间的关系:
式中:灵敏系数 , μ-应变材料的泊松比
L、ρ-分别为电阻丝的长度与电阻率
;硅、锗等半导体材料组成的元件受到压缩或拉伸时,其电阻率ρ随应力( )的变化率 远大于一般电阻材料的灵敏系数,因此,引起半导体材料电阻相对变化的主要原因是压阻效应:
式中: —压阻系数;E—弹性摸量;σ ??应力; —应变
上式表明压阻传感器的工作原理是基于压阻效应的。
扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅,单晶硅是各向异性材料,取向不同其特性不一样,而取向是用晶向表示的,所谓晶向就是晶面的法线方向。;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;测量电路:
恒压源:
输出电压与 成正比,输出电压受环境温度的影响.
恒流源:
输出电压与 成正比,环境温度的变化对其没有影响.;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;3.1压力传感器;
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