电工电子技术 少学时 第2版 教学课件 作者 罗厚军 第5章 半导体器件.pptVIP

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电工电子技术 少学时 第2版 教学课件 作者 罗厚军 第5章 半导体器件.ppt

第5章 半导体器件;5.1 半导体基本知识;5.1 半导体基本知识;5.1 半导体基本知识;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.2 半导体二极管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;5.3 晶体管;表5-4晶体管的型号命名及意义;5.3 晶体管;*5.4 场效应晶体管; 从结型场效应管的结构可以看出,在栅极和导电沟道之间存在一个PN结。如果在栅极和源极之间加上反向电压UGS ,使PN结反向偏置,则改变UGS大小可以改变耗尽层的宽度。由于耗尽层变宽,相应的导电沟道将减小,使得导电沟道本身??电阻值增大,于是,漏极电流I将减小。所以,通过改变UGS的大小可以实现对漏极电流I的控制。;*5.4 场效应晶体管;*5.4 场效应晶体管;1.主要的半导体材料是硅和锗。 2.二极管的内部就是一个PN结,主要特点是具有单向导电性。 3.晶体管的基本结构有三个区:基区、发射区和集电区;两个PN结:发射结和集电结;三个电极:基极、发射极和集电极;有NPN型和PNP型两种结构形式。 4.场效应晶体管是一种电压控制器件,分为结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管,每一种都有N沟道和P沟道两种类型。

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