电子电路第1章习题课.pptVIP

电子电路第一章习题课;1.1 说明PN结的工作原理;1.2 设二极管;1.3 在 平面坐标中画出硅二极管（普通二极管、稳压管、变容器）的伏安特性曲线，说明在伏安特性曲线上可以定义哪些直流参数和动态参数。;1.4 埋层稳压管的性能特点是什么？(教材13页）;1.5 设定图P1.5中D1和D2的正向导通电压，画出与vi对应的输出信号电压波形。;1.5 Multisim步骤;开始仿真并双击示波器观察，可看到如下波形（注意调整示波器的设置）;1.6 假设图P1.6中D的正向导通电压 ，试画出 两端的 波形；求出 中的直流电流分量 和 上的直流电压 。;1.7 图P1.7所示为桥式整流电路，设D1～D4的正向电压 ，重复题1.6的分析和计算。;1.8 图P1.8所示为具有电容滤波的桥式整流电路，试分析并画出 的波形图。;1.8 Multisim步骤;运行后可以看到如下波形;作为对比可观察去掉电容后的波形（1.7）;1.9 说明BJT内部载流子运动过程，写出BJT内部与外部电流关系式。;iE=iC+iBiC=αiE+ICBOiB=iB1+iB2-ICBOiB1+iB2=(1- α)iE;1.10 画出NPN和PNP BJT工作在放大状态的偏置电路；画出共基和共射BJT的输入和输出特性曲线；说明截止区、饱和区和放大区的特点；在伏安特性曲线上能定义哪些直流参数？哪些交流参数？说明共射BJT的 、 和 的物理意义。;（2）共射NPN型BJT的输入和输出特性如图所示：;（3）共射NPN型BJT有三个区域：放大区，饱和区，截止区 1、放大区特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置； ，基本不受 的影响。 2、饱和区特点：发射结正向偏置，集电结正向偏置；管压降 很小， (硅管)。 受控于 ， 已不成立， 的大小由外电路参数决定。 3、截止区特点：发射结、集电结均反偏；集电极电流近似为零；管压降比较高。 ;1.11 设某三极管静态工作点 ，试画出它的混合 等效模型，并在图上标明所有模型参数。;1.12 设某PNP管的 ，画出混合 型交流等效电路，求 。;1.13 画出N沟道JFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；指出电阻区和夹断区以及它们的分界线；写出转移特性方程式；定义 。;1.14 画出N沟道耗尽型与增强型MOSFET的转移特性曲线和漏极特性曲线；标明电阻区及夹断区以及它们的分界线；定义 ；写出它们在可变电阻区和恒流区的特性方程式。;1.15 已知某3DJ6（N-JFET）的漏极特性如图P1.15所示。试由漏极特性作出 三种情况下的转移特性。;1.16 已知某P沟道JFET的参数： × ， 试求出 时的完整小信号等效电路。;1.17 设PMOSFET的工艺参数： ×静态工作电流 试画出它的低频小信号等效电路。若 时的等效电路中的受控电流源。;1.18 试简述MOSFET的主要特性。;1.19 MOSFET的亚阀区导电特性有什么特点？与BJT作对比，在MOS管 时，它们是否还有放大能力？; 在vBS 0下，只有vGSVGS(th)才可能形成沟道。vBS对导电沟道也有一定的控制能力，这种现象称为体效应或衬底调制效应。 VGS(th)的值改变iD的值，因而vBS对iD有控制作用，B极又称为背栅。;;c;4、温度下降时，二极管的导通电压____，反向饱和电流____。;10、结型场效应管属电流表达式是;11、对N沟道JFET工作在恒流区时____，工作在可变电阻区时____，工作在预夹断状态时____。