0809第一学期电子电路期末试卷.pdfVIP

北京邮电大学 2008——2009 学年第 1 学期 《电子电路基础》期末考试试题（B） 考 一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。学生必须 试 按照监考教师指定座位就坐。 注 二、书本、参考资料、书包等物品一律放到考场指定位置。 意 三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有 事 考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。 项 四、学生必须将答题内容做在试题答卷上，做在草稿纸上一律无效。 五、学生的姓名、班级、学号、班内序号等信息由教材中心统一印制。 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 满分 得分 阅卷 教师 一． 选择题 1.设某单管共射放大电路各零、极点的频率间隔差十倍以上，当输入信号频率为放大 电路的下截止频率 fL 时，电路的增益为中频增益的_______，输入电压与输入电压 之间的相移为_______；反之，当信号频率等于上限截止频率 fH 时，电路增益为中 频增益的_______，输出电压与输入电压之间的相移为_______。 2.欲通过实验电路来观察频率响应，以下测试方法中正确的为_______。 A．保持输入电压频率不变，改变幅度 B．保持输入电压幅度不变，改变频率 C．同时改变输入电压的幅度与频率 3.影响放大电路频率（高）特性的因素有_______，影响其低频特性的因素是_______ A．耦合电容和旁路电容的存在 B．放大电路的静态工作点不合适 C．晶体管极间电容和分布电容的存在 D．晶体管的非线性特性 4.已知场效应管的转移特性分别为图一中（I）、（ II）所示，且其中漏极电路 iD 的方向 是它的实际方向，则（I）为_______沟道_______型，（ II）为_______沟道_______ 型。 A．N B．P C．增强 D．耗尽 图一（I） 图一（II） 5.在三极管负反馈放大电路中，若保持负载不变，欲从信号源获取较小的电流，并能 够在更换放大管时稳定输出电流，可在放大电流中引入_______。 A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈 C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈 6.请说出图二所示电路的名称：_______。 A．反相积分电路 B．反相输入放大电路 C．反相输入滞回比较器 D．方波发生器 图二 7.以下各管中，无需外给偏压只需用自给偏置（自生偏压）方式就可工作的场效应管 是_______。 A．N沟道效应管都行 B．N沟道增强型 MOS 管 C．P沟道耗尽型 MOS 管 D．P沟道