电子电路基础2016上半年考前辅导选编.pptVIP

*; ;二、本征半导体 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的重要外部因素。;三、杂质半导体的载流子;1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A．晶体缺陷 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2. 在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导体。 A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 3. 在本征半导体中掺入5价元素就成为（ ）型半导体。 A. P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 ;四. PN结单向导电性及应用;|vi |0.7V时， D1、D2中有一个导通 vi 0.7V，D2导通，输出嵌在0.7V vi -0.7V，D1导通,输出嵌在-0.7V |vi |0.7V时，D1、D2均截止，所以vo=vi ;vo;|vi |2.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi;|vi |1.4V时，D1、D2截止，vo=vi;六.三极管工作区域 三极管工作状态的偏置条件 放大区：要求发射结正偏，集电结反偏。 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。 饱和区：发射结正偏、集电结正偏。 PNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A．UCUEUB B. UBUCUE C. UCUBUE D. UBUEUC NPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 A．UCUEUB B. UBUCUE C. UCUBUE D. UEUBUC ;例题 1. 测得三极管发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 2. 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 3. 测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，则该管工作在（ ） A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 击穿区;七. 判断三极管管型管脚 PNP晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 UCUBUE NPN晶体管工作在放大区，三电极电位关系为 UEUBUC 1.在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（ ） A. (B、C、E) B.(C、B、E) C.(E、B、C) D.(C、E、B) 2. 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V，则这只三极管属于（ ） A.(B、C、E) B.(C、B、E) C.(E、B、C) D.(C、E、B) 3.在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V，11.3V，0V，则该管属于（ ） A.(B、C、E) B.(C、B、E) C.(E、B、C) D.(C、E、B) ;第二部分 放大电路基础 一. 放大电路要求 1.放大电路的组成原则有哪些？ A.要求放大电路发射结正偏，集电结反偏； B.输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极，并形成变化的基极电流iB，进而产生晶体管的电流控制关系，变成集电极电流iC的变化； C.输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式； D.信号通过放大电路时不允许出现失真。;2.放大电路耦合方式有什么要求？ 耦合后，各级仍具有合适静态工作点。 保证信号在级与级之间能顺利而有效地传输出去。 耦合后，多级放大嗲路的性能指标必须满足实际负载的要求。 3．为什么要设定静态工作点？ 为了减少和避免非线性失真，需要合理设置静态工作点，使整个波形处于放大区。 Q点过低，信号进入截止区,放大电路产生截止失真 Q点过高，信号进入饱和区,放大电路产生饱和失真;iC;iC; 二.偏置与耦合 1. 集成运算放大器采用耦合方式是 A. 变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 2. 在放大电路的耦合方式中，（ ）低频特性最好。 A. 变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 3. 在放大电路的耦合方式中，（ ）级间静态工作点会影响。 A.变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合;三、判断电路能实现放大与否？;图示电路能否放大正弦信号，不能请说明改正方法。电容对交流信号可视为短路。 ;图示电路能否放大正弦信号，不能请说明改正方法。电容对交流信号可视为短路。 ;四. 三种组态特点与应用 1．简述射极输出器的特点与应用 特点:输入输出同相，输出电压跟随输入电压, 输入电阻较大，输出电阻很小，带负载能力强。 应用： A.