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2017-04-23 发布于四川
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模拟电子线路3_1M0S场效应管.ppt

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模拟电子线路3_1M0S场效应管

3.1 MOS场效应管; N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。 ;3.1.1 增强型MOS场效应管;源极 S ( Source ) ; N沟道EMOS管外部工作条件;工作原理分析：;;(3) VDS = 0，VGS ≥ VGS(th) ;; VDS对沟道的控制（假设VGS VGS(th) 且保持不变）; 当VDS增加到使VGD ?=VGS(th)时 → A点出现预夹断; 若考虑沟道长度调制效应; MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。; 由于MOS管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 ; NEMOS管输出特性曲线;数学模型：;;数学模型：;;; 由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。; NEMOS管转移特性曲线; 衬底效应; P沟道EMOS管;3.1.2 耗尽型MOS场效应管; NDMOS管伏安特性;3.1.3 四种MOS场效应管比较; 饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型; 临界饱和工作条件; FET直流简化电路模型(与三极管相对照) ;3.1.4 小信号电路模型; MOS管跨导; 计及衬底效应的MOS管简化电路模型; MOS管高频小信号电路模型; 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。; MOS管截止模式判断方法;例1 已知?nCOXW/(2l)=0.25mA/V2，VGS(th)= 2V, 求ID; 小信号等效电路法