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《模拟电子技术》 期末总复习 模拟电子技术 题型： 一、填空题（12、14分） 二、选择题（16分） 三、分析题（18、16分）（3、2题） 四、计算题（44分） （5题） 五、设计题（10分） （1题） 期中前约 50% 期中后约50% 1 绪论 一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号 二、放大电路性能指标： 1、电压放大倍数Au 电压增益=20lg|Au| (dB) 2、输入电阻ri 3、输出电阻ro 4、通频带 5、失真： 失真 线性失真 非线性失真： 幅度失真: 相位失真: 半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性 一、半导体与本征半导体： 半导体的共价键结构： 惯性核 价电子 3 二极管及其电路 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子 自由电子 空穴 本征激发 复合 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 动态平衡 二、 杂质半导体 P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴浓度大大增加的杂质。 N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子， 少数载流子（少子）：空穴。 受主原子（离子） 多子：空穴，少子：自由电子。 1、 PN结的形成过程： 三、 PN结与半导体二极管 扩散 接触 形成空间电荷区 内电场 漂移 动态平衡 PN结 空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、 PN结 2、PN 结的最主要的特性——单向导电性： PN 结加正向电压导通，PN 结加反向电压截止 3、PN结的伏安特性： 反向击穿(电击穿) 雪崩击穿和齐纳击穿 正向特性 反向特性 击穿特性 稳压二极管利用击穿特性 4、 PN结的电容效应： 势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏） 二极管的电路符号： 5、半导体二极管： 主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向直流电流 IR 等 分为：点接触型、面接触型、平面型。 特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应 四、 二极管的基本电路及其分析方法 1、图解分析法： vD Q VDD VDD /R 2、简化模型分析法： 简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型 应用简化模型分析： （一） BJT的结构与工作原理: 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型 一、 BJT的结构、原理与特性 4 双极型三极管及放大电路基础 两种类型：NPN型和PNP型。 内部结构： 发射区：掺杂浓度较高 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的外部条件是： a.发射结加正向电压(正向偏置): NPN管：Vbe0； PNP管：Vbe0  b.集电结加反向电压(反向偏置): NPN管：Vbc0；PNP管：Vbc0 2、载流子在基区的扩散与复合 3、集电区收集载流子 工作过程: 1、发射区向基区扩散其多数载流子 三个极（集电极c、基极b、发射极e）、三个区、两个PN结。 IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB 电流关系式: （二） BJT的V-I特性曲线 1、输入特性： 工作压降： 硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 2、输出特性 IC(mA ) 此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。 此区域中UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0，IC=ICEO，UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=IB , 且 IC =   IB (2)